
4月16日,美國(guó)唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導(dǎo)體代工廠商Polar Semiconductor(“Polar”)宣布,已與瑞薩電子株式公司(簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)敲定一項(xiàng)戰(zhàn)略協(xié)議,授權(quán)其硅基氮化鎵 D 型 (GaN-on-Si) 技術(shù)。
作為該協(xié)議的一部分,Polar 將在其位于明尼蘇達(dá)州的 200 毫米車規(guī)級(jí)大批量制造工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓 650V 級(jí)硅基氮化鎵器件。該工廠最近擴(kuò)建了最先進(jìn)的加工和自動(dòng)化設(shè)備,旨在滿足對(duì)下一代半導(dǎo)體解決方案日益增長(zhǎng)的需求。
Polar和瑞薩電子將共同擴(kuò)大GaN器件的商業(yè)生產(chǎn)規(guī)模,擴(kuò)大其在關(guān)鍵行業(yè)的使用,包括汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)者、工業(yè)以及航空航天和國(guó)防市場(chǎng)。該協(xié)議確保美國(guó)擁有可靠的國(guó)內(nèi)來(lái)源來(lái)獲取這種尖端半導(dǎo)體技術(shù)。
通過(guò)成本效率和擴(kuò)展到 200 毫米制造實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新器件架構(gòu),將加速 GaN 技術(shù)的市場(chǎng)采用。通過(guò)利用 Polar 的制造專業(yè)知識(shí)和瑞薩電子成熟的功率半導(dǎo)體技術(shù)和商業(yè)領(lǐng)先地位,這種戰(zhàn)略合作可確??蛻舭踩?yīng)具有成本競(jìng)爭(zhēng)力、卓越品質(zhì)和高性能的 GaN 器件晶圓。
Polar Semiconductor 總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官 Surya Iyer 表示:“這項(xiàng)許可和商業(yè)生產(chǎn)協(xié)議強(qiáng)調(diào)了我們對(duì)加強(qiáng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN 是電源和射頻領(lǐng)域改變游戲規(guī)則的技術(shù),與瑞薩電子合作,我們有能力提高商業(yè)生產(chǎn),確保關(guān)鍵防御計(jì)劃的安全,并推動(dòng)下一波半導(dǎo)體創(chuàng)新?!?/p>
瑞薩電子電源產(chǎn)品集團(tuán)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Chris Allexandre說(shuō):“我們很高興與Polar合作,將我們經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的氮化鎵技術(shù)擴(kuò)展到200毫米晶圓,并在廣泛的電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中利用我們的專業(yè)知識(shí),從基礎(chǔ)設(shè)施和人工智能到能源和工業(yè)到電動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車到高價(jià)值物聯(lián)網(wǎng)。此次合作確保了強(qiáng)大的美國(guó) GaN 產(chǎn)品制造能力,為我們的客戶提供多源采購(gòu),并滿足對(duì)高性能電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求?!?/p>
編輯:芯智訊-浪客劍
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