存儲芯片，又稱為半導(dǎo)體存儲器，主要用于數(shù)據(jù)存儲和讀取，是集成電路的三大品類之一（另外兩個分別是邏輯芯片和微處理器芯片），主要應(yīng)用于內(nèi)存、消費電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。根據(jù)存儲數(shù)據(jù)的特性，可分為以下兩類：
· 易失性存儲器（Volatile Memory，斷電后存儲的數(shù)據(jù)會丟失，主要用于臨時存儲數(shù)據(jù)），包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器，俗稱內(nèi)存條）、SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）
· 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory，斷電后存儲的數(shù)據(jù)不會丟失，主要用于長期存儲數(shù)據(jù)），主要代表是ROM（只讀存儲器）、Flash Memory（閃存，包括NOR Flash和NAND Flash）
2024年全球存儲市場規(guī)模達到1670億美元，創(chuàng)下歷史新高。其中，DRAM占比超過一半（973億美元）。簡單的架構(gòu)（每個存儲單元僅包含一個晶體管）可實現(xiàn)更高的密度和更低的成本，使其成為大規(guī)模存儲器應(yīng)用的首選（例如筆記本電腦/平板電腦、智能手機等消費電子產(chǎn)品的運行內(nèi)存）。
隨著人工智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存的需求持續(xù)增長，不僅要求大容量的DRAM，還對其性能和穩(wěn)定性提出更高要求，以滿足海量數(shù)據(jù)的快速處理和存儲需求。毫不夸張地說，“沒有數(shù)據(jù)就沒有人工智能”。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）成為全球關(guān)注點，已成為全球人工智能訓(xùn)練/推理系統(tǒng)的最關(guān)鍵組成部分。到2027年，其需求將以每年82%的速度增長。
簡單介紹一下，這是一種高性能的3D堆疊DRAM技術(shù)，通過將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起，并利用硅通孔（TSV）技術(shù)和微凸點（microbump）技術(shù)實現(xiàn)芯片間的高速互連，不僅大幅減少存儲體系空間占比，也大幅降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪芎?。與傳統(tǒng)的平面內(nèi)存解決方案相比，可以在單個封裝中實現(xiàn)更大的內(nèi)存容量。
根據(jù)Counterpoint Research發(fā)布的報告顯示，2025年第一季度全球DRAM行業(yè)格局發(fā)生了新變化。行業(yè)前三名合計占據(jù)95%市場份額（按銷售額計算），其他廠商（包括中國的長鑫存儲、長江存儲，臺灣省的華邦、南亞和力晶）僅有5%的份額。
美光科技（Micron Technology）排名第三，市占率為25%。這是美國最大的半導(dǎo)體存儲制造商，成立于1978年，總部坐落于愛達荷州首府博伊西市。2025財年第二財季（截至2025年2月27日的三個月）實現(xiàn)營收80.53億美元，凈利潤15.83億美元，同比分別增長38.22%和99.62%。
2月26日，美光宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設(shè)計的1γ(1-gamma) 第六代 (10納米級) DRAM 節(jié)點的DDR5內(nèi)存樣品。這款產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率可達 9200MT/s，較上一代提升15%，功耗降低超過20%。
三星電子自1992年起，已連續(xù)30多年牢牢占據(jù)著行業(yè)第一的寶座，不過今年第一季度被擠到第二位，市場份額為34%。SK海力士取而代之，市占率達到36%。事實上，兩家韓國企業(yè)的競爭態(tài)勢從2023年第四季度起就發(fā)生顯著變化，三星電子的份額從45.5%持續(xù)下滑，SK海力士則從31.8%穩(wěn)步攀升。
此消彼長的背后，人工智能浪潮帶來的HBM需求激增是主要推手。作為HBM芯片的開創(chuàng)者（2013年率先量產(chǎn)），SK海力士在該領(lǐng)域占據(jù)70%的市場份額，獨家供應(yīng)英偉達Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代12層 HBM3E。
去年8月，SK海力士成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM，目前良率約為80%，較去年下半年的六成有明顯提升，即將達到大規(guī)模生產(chǎn)所需的水平。
去年，SK海力士營收創(chuàng)下歷史新高，同比增長102%至66.1930萬億韓元；凈利潤為19.7969萬億韓元，2023年同期虧損9.11萬億韓元。第四季度，HBM占據(jù)整個DRAM銷售額的40%以上。
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