據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子31日舉行業(yè)績電話會議稱，公司將從今年第一季度底起向主要客戶供應(yīng)第五代高帶寬內(nèi)存“HBM3E”的改良品，并爭取下半年內(nèi)量產(chǎn)第六代高寬帶內(nèi)存“HBM4”。

報(bào)道稱，三星財(cái)報(bào)會議上透露，盡管低于先前的預(yù)估，但是其2024年第四季的HBM銷量仍較上一季增長了1.9倍。該公司將這些波動(dòng)歸因于地緣政治問題和HBM3E增強(qiáng)型產(chǎn)品計(jì)劃的準(zhǔn)備。三星指出，繼2024年第三季量產(chǎn)HBM3E的8層和12層堆棧產(chǎn)品后，在第四季擴(kuò)大了對多家GPU供應(yīng)商和數(shù)據(jù)中心客戶的HBM3E供應(yīng)，導(dǎo)致HBM3E銷量超過了HBM3銷量。

另外，三星也預(yù)計(jì)HBM3E增強(qiáng)型產(chǎn)品的供應(yīng)量將從第二季開始大幅增加，這使得三星預(yù)計(jì)在2025年將HBM位元總供應(yīng)量較上一年增加一倍，以展現(xiàn)其致力于滿足客戶不斷變化的需求的承諾。三星強(qiáng)調(diào)，受到美國政府宣布的先進(jìn)半導(dǎo)體出口管制的影響，預(yù)計(jì)主要客戶對現(xiàn)有產(chǎn)品的需求將轉(zhuǎn)向增強(qiáng)型產(chǎn)品，進(jìn)而導(dǎo)致HBM出現(xiàn)暫時(shí)的需求缺口。不過，在第二季之后，客戶需求預(yù)計(jì)將比之前預(yù)期的更快地從8層堆棧產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到12層堆棧產(chǎn)品上。

三星強(qiáng)調(diào)，雖然目前預(yù)計(jì)客戶對HBM3E的16層堆棧產(chǎn)品尚無商業(yè)化需求，但三星已生產(chǎn)了16層堆棧技術(shù)的樣品，并交付給主要客驗(yàn)證中。至于，采用10納米級的1c制程技術(shù)來量產(chǎn)的HBM4正在按開發(fā)計(jì)劃進(jìn)行中，目標(biāo)是在2025年下半年開始量產(chǎn)。

而為了應(yīng)對預(yù)期的DDR4和LPDDR4供應(yīng)過剩，三星計(jì)劃在2025年將兩項(xiàng)產(chǎn)品的銷售占比，從2024年初的30%，大幅降至個(gè)位數(shù)。該公司也正在加速向NAND Flash的V8和V9轉(zhuǎn)移，以確保長期的產(chǎn)品競爭力，并擴(kuò)大服務(wù)器大容量QLC規(guī)格的產(chǎn)品銷售比例。