關(guān)于我國在芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展的報(bào)道
近日，一個(gè)令人振奮的消息傳來，我國在芯片技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)記者27日從西湖大學(xué)獲悉，該校孵化的西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司成功開發(fā)出一種新技術(shù)——12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)。這一技術(shù)的成功研發(fā)，解決了長期以來困擾業(yè)界的12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題，為我國的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新的活力。
一、背景介紹
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，以其出色的性能在高溫、高頻、高功率等應(yīng)用領(lǐng)域中具有巨大潛力。然而，其制造過程中的切片難題一直是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。尤其是12英寸及以上超大尺寸的碳化硅襯底切片，其技術(shù)難度更大，對(duì)設(shè)備、工藝和技術(shù)要求極高。
二、技術(shù)突破
西湖儀器技術(shù)有限公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長時(shí)間的研究和試驗(yàn)，成功開發(fā)出了12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)。這一技術(shù)的核心在于利用高精度的激光設(shè)備，對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行精確的激光剝離。通過這一技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)超大尺寸碳化硅襯底的自動(dòng)化切片，大大提高了生產(chǎn)效率和切片質(zhì)量。
三、技術(shù)特點(diǎn)
1. 自動(dòng)化程度高：該技術(shù)采用自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行操作，大大降低了人工干預(yù)，提高了生產(chǎn)效率。
2. 精度高：激光設(shè)備的精確度極高，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)碳化硅襯底的精確剝離。
3. 適用范圍廣：該技術(shù)適用于12英寸及以上的超大尺寸碳化硅襯底切片，滿足了市場對(duì)大尺寸碳化硅襯底的需求。
4. 環(huán)保節(jié)能：相比傳統(tǒng)切片技術(shù)，該技術(shù)具有更低的能耗和更少的廢棄物產(chǎn)生，符合綠色環(huán)保的發(fā)展趨勢。
四、產(chǎn)業(yè)影響
這一技術(shù)的成功研發(fā)，對(duì)于我國的芯片產(chǎn)業(yè)具有重要意義。首先，解決了長期以來困擾業(yè)界的碳化硅襯底切片難題，為我國的芯片制造提供了更好的材料選擇。其次，該技術(shù)的成功研發(fā)將推動(dòng)我國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，提高我國在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈中的地位。最后，這一技術(shù)的成功研發(fā)將促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，帶動(dòng)就業(yè)和經(jīng)濟(jì)增長。
碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)。圖片來源：西湖大學(xué)
五、前景展望
隨著科技的不斷發(fā)展，芯片技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅在高溫、高頻、高功率等應(yīng)用領(lǐng)域中具有巨大潛力。西湖儀器技術(shù)有限公司的這一技術(shù)突破，將為我國的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。相信在未來，我國在芯片領(lǐng)域的技術(shù)水平將會(huì)越來越高，為全球芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
綜上所述，西湖儀器技術(shù)有限公司成功開發(fā)的12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)，為我國在芯片領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。相信在不久的將來，我國的芯片產(chǎn)業(yè)將會(huì)取得更加輝煌的成就。
熱門跟貼