近日，來(lái)自印度科學(xué)學(xué)院（IISc）的30名科學(xué)家集體向印度政府提交了一份提案，旨在開(kāi)發(fā)埃米級(jí)（即10^-10米級(jí)、亞納米級(jí)）2D非硅芯片。

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據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯PTI報(bào)道，該團(tuán)隊(duì)此前向印度首席科學(xué)顧問(wèn)（PSA）提交了詳細(xì)的項(xiàng)目報(bào)告（DPR），并于去年10月對(duì)報(bào)告進(jìn)行了修改和二次提交。這份報(bào)告已共享給印度電子和信息技術(shù)部（MeitY），據(jù)悉MeitY對(duì)該項(xiàng)目持積極態(tài)度。

在報(bào)告中，IISc團(tuán)隊(duì)提到了兩種可用于制造埃米級(jí)2D非硅芯片的材料：石墨烯和過(guò)渡金屬硫化物（簡(jiǎn)稱(chēng)TMD，如其中的“明星材料”二硫化鉬MoS2）。為了推動(dòng)這一項(xiàng)目，科學(xué)家們尋求在未來(lái)五年內(nèi)獲得50億盧比（約合4.27億元人民幣）的政府研發(fā)支持資金。

印度在傳統(tǒng)硅基芯片制造領(lǐng)域相對(duì)落后，而硅基半導(dǎo)體的進(jìn)一步制程收縮正面臨一系列問(wèn)題。為了提升該國(guó)在后硅時(shí)代的半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力，有必要加速非硅二維芯片的研發(fā)工作。