【CNMO科技消息】據(jù)韓媒報(bào)道，盡管三星電子在高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試上有所進(jìn)展，但其半導(dǎo)體部門(mén)仍面臨多重挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士指出，以8層堆疊HBM產(chǎn)品為例，三星的供應(yīng)時(shí)間比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手晚了一年以上，這使其在技術(shù)差距和市場(chǎng)份額的追趕上存在明顯局限。
在第五代HBM競(jìng)爭(zhēng)中處于劣勢(shì)的三星，正將翻身希望寄托在下一代HBM4產(chǎn)品上，目標(biāo)是在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。然而現(xiàn)實(shí)并不樂(lè)觀。用于HBM4的10納米級(jí)第七代（1c）DRAM仍未完成開(kāi)發(fā)，材料準(zhǔn)備不足令HBM4的量產(chǎn)節(jié)奏存在不確定性。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出：“只有高附加值的HBM訂單顯著增長(zhǎng)，三星DS（設(shè)備解決方案）部門(mén)的業(yè)績(jī)才可能實(shí)現(xiàn)有意義的反彈。”
除了存儲(chǔ)芯片外，三星半導(dǎo)體的另一大支柱——由晶圓代工和系統(tǒng)LSI組成的業(yè)務(wù)線也未見(jiàn)起色。據(jù)估計(jì)，2025年第一季度該業(yè)務(wù)線虧損超過(guò)2萬(wàn)億韓元（約99.2億元人民幣）。其中，核心產(chǎn)品Exynos 2500因性能與良率未達(dá)預(yù)期，未能搭載于S25系列上，導(dǎo)致虧損持續(xù)。
在晶圓代工領(lǐng)域，由于3納米及以下先進(jìn)工藝尚未獲得大型客戶(hù)訂單，三星在爭(zhēng)奪高端客戶(hù)上的劣勢(shì)可能在短期內(nèi)持續(xù)存在。
面對(duì)困局，三星正全力推進(jìn)2納米制程及相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。公司正在集中力量開(kāi)發(fā)Exynos 2600，并爭(zhēng)取在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。一位業(yè)內(nèi)人士透露：“目前2納米制程的良率相比去年同期的3納米水平更為穩(wěn)定，三星在該節(jié)點(diǎn)上的投入與期待顯著提升?！北M管前路仍存挑戰(zhàn)，但2納米與HBM4被視為三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)能否逆轉(zhuǎn)局勢(shì)的關(guān)鍵支點(diǎn)。
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