快科技4月17日消息，博主數(shù)碼閑聊站表示，明年蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電2nm，預(yù)計(jì)成本大幅增長(zhǎng)，新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。
去年10月份，因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺(tái)積電3nm工藝，國(guó)產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。
當(dāng)時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋，旗艦機(jī)漲價(jià)有兩個(gè)原因，一是旗艦處理器升級(jí)最新3nm制程，工藝成本大幅增加；二是內(nèi)存、存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)持續(xù)一年的漲價(jià)，已經(jīng)來(lái)到了最高點(diǎn)，所以大內(nèi)存的版本漲幅更大。
展望明年，高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級(jí)為全新的臺(tái)積電2nm制程，成本將會(huì)再度上漲，這將導(dǎo)致終端旗艦掀起新一輪漲價(jià)潮。
據(jù)此前報(bào)道，臺(tái)積電每片300mm的2nm晶圓報(bào)價(jià)可能超過(guò)3萬(wàn)美元，相比之下，目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元。
值得注意的是，臺(tái)積電2nm制程首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)，同時(shí)結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。
相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。
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