文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

近期,存儲芯片市場的價格上漲趨勢,引起業(yè)內(nèi)高度關(guān)注。

4月15日,在熱鬧非凡的上海慕尼黑電子展現(xiàn)場,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫作者成功 “捕獲” 了多家存儲芯片公司的身影。

那么如今存儲市場的需求是否恢復(fù)?價格漲勢是否明晰?哪種細(xì)分存儲類型最先受到市場青睞?

帶著這些疑問,一起聽聽,來自一線的聲音怎么說?

存儲行情,這么說

自 4 月 1 日閃迪、美光等存儲公司開啟漲價以來,截至 4 月中旬,國產(chǎn)存儲器市場中其實未有太多漲價聲音傳出。此前,國產(chǎn)存儲公司的零售品牌致態(tài)宣布,自 4 月起上調(diào)提貨價格,漲幅或超 10%,成為這段時期國產(chǎn)存儲市場漲價動態(tài)的少數(shù)代表。

彼時,業(yè)內(nèi)諸多人士心存疑慮:國產(chǎn)存儲市場究竟是否即將迎來漲價潮?

先說結(jié)論,當(dāng)前市場中,不同類型存儲產(chǎn)品走勢各異。中高容量存儲市場,因存儲產(chǎn)品價格波動,調(diào)整幅度較大。于國內(nèi)市場而言,除兩家存儲芯片龍頭企業(yè)外,其余廠商主要在中低容量市場展開競爭。這一市場競爭態(tài)勢尤為激烈,但價格波動敏感度較低。

在這次展會中,筆者訪問了三家國產(chǎn)存儲芯片展商,以下是來自市場一線的一些看法。

兆易創(chuàng)新主要存儲產(chǎn)品包括NOR Flash、SLC NAND Flash和 DRAM 三個部分。

關(guān)于當(dāng)前國產(chǎn)存儲芯片的市場行情,兆易創(chuàng)新表示,全球存儲市場規(guī)模約1500億美元,但SPI NOR Flash的市場規(guī)模大概只有30億美元,且主要是用于存儲代碼,它主打可靠性高、容量范圍廣、讀取性能高等特點。再從需求端來說,每一個電子設(shè)備大概都需要1~2顆SPI NOR Flash芯片。

SPI NOR Flash芯片價格會隨市場波動進行小幅調(diào)整,但波動幅度有限,因此這類產(chǎn)品或許不會如整個存儲市場般敏感。

聚辰半導(dǎo)體的主要存儲產(chǎn)品包括EEPROM和NOR Flash。

聚辰半導(dǎo)體表示,存儲需求其實一直都在呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢,但國產(chǎn)存儲市場競爭激烈,以技術(shù)相對成熟的 EEPROM 為例,近年來吸引了更多國產(chǎn)公司涉足該領(lǐng)域。

東芯半導(dǎo)體的主要存儲產(chǎn)品包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM等。

東芯半導(dǎo)體也表示,國際存儲廠商此番漲價,主要集中在高規(guī)格 eMMC、高規(guī)格 NAND 以及高規(guī)格 DRAM 產(chǎn)品等領(lǐng)域。與之形成鮮明對比的是,國產(chǎn)廠商大多深耕中低容量市場。此市場不僅體量有限,而且入局玩家眾多,競爭異常激烈。

存儲公司,下一個增長點在哪?

日前,東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊指出,目前超九成存儲芯片市場份額被國外存儲廠商占據(jù),但國產(chǎn)存儲企業(yè)在利基型DRAM市場的商機正在顯現(xiàn)。

利基型DRAM涵蓋DDR3、小容量DDR4及低功耗產(chǎn)品,市場規(guī)模約為100億美元。當(dāng)前,國際主流存儲供應(yīng)商在該領(lǐng)域的市場份額不足5%。隨著這些供應(yīng)商逐步退出利基型市場,國內(nèi)存儲供應(yīng)商迎來了寶貴的發(fā)展機遇。”陳磊分析稱。

那么,關(guān)于Flash市場未來的商機在哪里?

在與這三家公司的對話中,有這樣一個應(yīng)用領(lǐng)域,被三次精準(zhǔn)提及。

東芯半導(dǎo)體指出,自 2020 年起,NOR Flash 需求于低谷中逐步復(fù)蘇,在 AIoT 場景中表現(xiàn)尤為明顯。NAND Flash 商機主要集中在安防監(jiān)控、智能穿戴等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,這些領(lǐng)域?qū)Υ鎯θ萘康男枨笳粩嘣鲩L。東芯半導(dǎo)體特別強調(diào),在未來的汽車應(yīng)用里,NOR Flash 需求相較于傳統(tǒng)燃油車將超 10 倍,汽車領(lǐng)域無疑會成為強勁的增長點。

東芯半導(dǎo)體提到,近年來國產(chǎn)存儲企業(yè)紛紛朝著工控、醫(yī)療、車載等高規(guī)格存儲領(lǐng)域進軍,意圖從競爭白熱化的小容量市場突圍,轉(zhuǎn)向高毛利、高可靠性的應(yīng)用場景。談及車載存儲芯片營收占比,東芯半導(dǎo)體稱,因車載芯片驗證周期長、導(dǎo)入難度大,目前車載存儲貢獻的營收占比尚低,不足 10%。不過,未來幾年,公司計劃將這一比例提升至 20% 以上 。

兆易創(chuàng)新表示,短期看,AI手機/PC放量直接拉動NOR Flash用量;長期看,XR、AI眼鏡等新興場景疊加汽車電子放量正打開增量空間。

在影響價格的因素中,消費電子行業(yè)需求減弱是關(guān)鍵因素。電子產(chǎn)品換新周期延長,致使消費類存儲需求受到抑制。盡管汽車電子產(chǎn)品單價較高,在一定程度上緩解了消費市場的不利影響,但汽車用存儲整體需求仍低于消費電子。

不過,汽車電子未來存儲需求增長趨勢明確,特別是對高性能、高容量車用存儲的需求正不斷增加,兆易創(chuàng)新也在持續(xù)提升自身汽車業(yè)務(wù)占比。數(shù)據(jù)顯示,2023 年兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash 全球市場份額為 19.1%,位居全球第二;到 2024 年,這一份額已提升至 20.4%。

對于聚辰半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的未來增長點,其認(rèn)為:

對于EEPROM來說,其未來增長點主要體現(xiàn)在兩方面,一方面汽車電子的需求直接拉動EEPROM的需求,另一方面隨著 DDR5 內(nèi)存模組滲透率不斷提高,SPD 配套芯片市場快速增長,進一步拉動EEPROM的需求。目前公司已與瀾起科技合作開發(fā) DDR5 內(nèi)存模組的 SPD 產(chǎn)品,下游客戶覆蓋主要內(nèi)存模組廠商。

而對于NOR Flash來說,未來汽車應(yīng)用的高需求會明顯拉動市場增長。聚辰半導(dǎo)體表示,公司基于NORD 工藝平臺已開發(fā)了一系列車規(guī)級NOR Flash產(chǎn)品,具備強大的性能優(yōu)勢,同時也在規(guī)劃完善更大容量NOR Flash產(chǎn)品系列,該產(chǎn)品將逐漸成為新的增長點。

可以看到,在這兩條產(chǎn)品線的未來規(guī)劃中,車規(guī)級芯片均是一個關(guān)鍵詞。

存儲公司,盯上汽車

隨著新能源汽車的推廣和智能化趨勢的不斷演進,尤其在新的電子電氣架構(gòu)下,國產(chǎn)車規(guī)級芯片的市場規(guī)模不斷擴大。

而在本次展會中,汽車存儲芯片成為了上述三大存儲芯片公司重點關(guān)注的領(lǐng)域之一 。

兆易創(chuàng)新,車載存儲方案來了

此次,兆易創(chuàng)新攜90余款產(chǎn)品及解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展。

本次展品陣容涵蓋存儲器、微控制器、傳感器、模擬芯片等全系產(chǎn)品線,覆蓋數(shù)字能源、工業(yè)、汽車、消費電子以及物聯(lián)網(wǎng)等重點領(lǐng)域。

其中車載存儲產(chǎn)品是本次的亮點之一。

兆易創(chuàng)新的GD25/55車規(guī)級SPI NOR Flash和GD5F?車規(guī)級SPI NAND Flash為汽車前裝市場以及需要車規(guī)級產(chǎn)品的特定應(yīng)用提供高性能、高可靠性的閃存解決方案,目前全球累計出貨量已突破兩億顆。

在此次展會中,便可一窺該系列產(chǎn)品真容。

GD25/55車規(guī)級SPI NOR Flash已通過ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認(rèn)證,容量覆蓋齊全,并具有讀取速率高和可靠性高等特點,支持ECC算法與CRC校驗,滿足車規(guī)等級Grade 1要求,支持105°和125°溫度規(guī)格。

本次展會重點展示了其在芯馳、聯(lián)陽ITE、歐冶半導(dǎo)體等國內(nèi)外主流汽車平臺上的成熟應(yīng)用,全面覆蓋智能座艙、數(shù)字儀表、智能車燈控制等車載場景。

芯馳X9智能座艙方案,搭載的就是兆易創(chuàng)新GD25LF128J車規(guī)級SPI NOR Flash,其存儲容量為128Mbit,支持單通道,雙通道,四通道STR及四通道DTR模式,時鐘頻率最高可達166MHz STR ,104MHz DTR,支持ECC糾錯功能。該智能座艙方案主要針對360°環(huán)視系統(tǒng)、語音喚醒等常見車載應(yīng)用場景中,能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動、快速喚醒等功能。

歐冶智能車燈的方案,搭配的是一款3V的GD25F256F的Flash,存儲容量為256Mbit,支持單通道,雙通道,四通道STR及四通道DTR模式,時鐘頻率最高可達166MHz STR ,104MHz DTR,支持ECC糾錯和CRC檢錯功能,廣泛應(yīng)用與智能車燈,電子后視鏡的方案中。

聯(lián)陽ITE9868車載儀表的方案,搭配3V的GD25B512MF的Flash,這是一款容量比較大的產(chǎn)品,其容量為512Mbit,支持單通道,雙通道,四通道模式,時鐘頻率最高可達133MHz,廣泛應(yīng)用與儀表,HUD和扶手屏的方案中。

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聚辰半導(dǎo)體EEPROM,引人駐足

聚辰半導(dǎo)體的車規(guī)級EEPROM等產(chǎn)品也吸引了大量觀眾駐足。

聚辰的EEPROM和NOR Flash芯片已通過AEC Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證,具備極高的可靠性。其中,GT24C64E-2UDLA1-TR芯片已應(yīng)用于前視后視模塊,GT25Q16A-UEDLA1-TR芯片已應(yīng)用于DMS模塊,GT25Q80AUEDLA1-TR產(chǎn)品已應(yīng)用于OMS模塊。

而在此次展示中,聚辰推出的兩款明星產(chǎn)品有Automotive EEPROM--GT25A1024AAutomotive NOR Flash--GT25Q40C。

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其中Automotive EEPROM--GT25A1024A已應(yīng)用于車載OBC和VCU 等相關(guān)模塊,內(nèi)置ECC的功能,滿足汽車應(yīng)用零失效的要求,產(chǎn)品擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持、功耗和速度等主要參數(shù)可與國外的同類產(chǎn)品媲美。

GT25A1024A的產(chǎn)品特性包括完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口協(xié)議、支持常溫下400萬的擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)可保持100年、已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證、已應(yīng)用于車廠客戶。

Automotive NOR Flash--GT25Q40C廣泛應(yīng)用于車載攝像頭和中控屏模塊,并在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等其他關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達到國際前沿水平。

GT25Q40C的產(chǎn)品特性包括存儲容量達4M、工作電壓為1.65~3.6v、最高數(shù)據(jù)傳輸速度達416Mb/s、數(shù)據(jù)保持達50年、Latch up為650mA、ESD為6.5KV、現(xiàn)已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證。

東芯半導(dǎo)體,也有車載方案展出

東芯半導(dǎo)體的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP系列均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測試,適用于更嚴(yán)苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境,并實現(xiàn)車規(guī)級產(chǎn)品銷售。具體應(yīng)用場景包括ADAS、激光雷達、HMI、IVI、T-BOX等。

此次,東芯半導(dǎo)體也有部分車載存儲方案展出。

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上圖所展示的應(yīng)用為東芯半導(dǎo)體2Gb 3.3V SPI/PPI NAND Flash在麥思美車載信息娛樂系統(tǒng)中應(yīng)用方案。

東芯股份表示,未來將在滿足客戶工業(yè)級應(yīng)用需求的基礎(chǔ)上,將產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)逐步向車規(guī)級推進,以順應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)在智能網(wǎng)聯(lián)功能的布局,大力發(fā)展可靠性要求更高的車規(guī)級存儲芯片,實現(xiàn)車規(guī)級閃存產(chǎn)品的國產(chǎn)化目標(biāo)。

可以看到,從大容量存儲到定制化解決方案,國產(chǎn)存儲廠商在技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展中正展現(xiàn)出強勁勢頭。未來,隨著人工智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶來存儲的需求持續(xù)提升,將為存儲提供更加廣闊的發(fā)展空間。