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全球頂級高帶寬內(nèi)存芯片制造商計(jì)劃采用 HBM5 芯片的垂直內(nèi)存堆疊技術(shù)。
全球最大的 DRAM 內(nèi)存芯片制造商SK 海力士公司計(jì)劃從其第五代高帶寬內(nèi)存（HBM5）中引入真正的 3D HBM，旨在重新定義人工智能內(nèi)存芯片的競爭格局。
SK海力士的一位高管在周四的技術(shù)研討會上表示，這家韓國芯片制造商正在積極研究 3D HBM 的實(shí)現(xiàn)，一種變革性的架構(gòu)，其中 DRAM 芯片位于圖形（GPU）的頂部，而不是放在其旁邊。
SK海力士副總裁兼封裝開發(fā)部門負(fù)責(zé)人李康旭
海力士副總裁兼封裝開發(fā)部門負(fù)責(zé)人李康旭在電子和信息工程師協(xié)會年會上的主題演講中表示：“在GPU上垂直查看DRAM可能會游戲規(guī)則。”
他表示，架構(gòu)上的飛躍將顯著減少數(shù)據(jù)傳輸延遲，同時提高帶寬和功率效率，這其實(shí)是性能要求高的人工智能行業(yè)的關(guān)鍵指標(biāo)。
該公司的HBM路線圖，將從3D HBM推出，HBM5開始——該產(chǎn)品仍然領(lǐng)先幾代。
SK海力士目前在HBM開發(fā)方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位，其 HBM3E 芯片已投入量產(chǎn)，HBM4 預(yù)計(jì)將于今年晚些時候推出，HBM4E 將于 2026 年推出。
他表示，HBM5 中可能會引入 3D，預(yù)示著該公司將采取長期戰(zhàn)略，確保在生成 AI 模型所需的存儲芯片式技術(shù)優(yōu)勢。
炙手可熱的 AI 芯片市場
隨著芯片微型化變得更加困難，3D芯片封裝技術(shù)的競爭也愈演愈烈。SK海力士的同城競爭對手三星電子同時研發(fā)3D芯片封裝技術(shù)，以努力追趕代工或芯片代工領(lǐng)域的領(lǐng)先者臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）。SAINT（三星先進(jìn)互連技術(shù)）計(jì)劃將GPU芯片（包括AI芯片）所需的內(nèi)存和處理器集成到更小的尺寸中。
首爾芯片峰會SEDEX 2024上SK海力士展位上展示的AI視頻
封裝是半導(dǎo)體制造的最后步驟之一，將芯片裝入保護(hù)殼中以防止腐蝕，并提供接口來組合和連接已制成的芯片。
臺積電、三星和英特爾等領(lǐng)先的芯片制造商正在爭相競爭先進(jìn)的封裝技術(shù)，這種技術(shù)可以集成不同的半導(dǎo)體或垂直互連多個芯片。先進(jìn)的封裝可以將多個器件封裝并封裝為單個電子設(shè)備。半導(dǎo)體封裝
技術(shù)可以提高性能，而進(jìn)而通過超精細(xì)加工縮小到納米級，這在技術(shù)上已具備，而且需要更多時間。
鍵合
SK海力士引進(jìn)混合李健熙表示，該公司還計(jì)劃從HBM4E代開始引入混合鍵合技術(shù)，該技術(shù)將用于20層以上的DRAM芯片。
在16層的第六代HBM（HBM4），該公司使用MR-MUF技術(shù)，該技術(shù)涉及用微凸塊連接DRAM層之前，并用液體材料填充透明。
不過，他表示，20層以上開始，鍵合至關(guān)重要。
按鍵合通過銅對銅接觸直接混合連接半導(dǎo)體層，覆蓋微凸塊，可實(shí)現(xiàn)芯片更薄、筆記本性能更好。
該公司預(yù)計(jì)，新的關(guān)鍵合方法將在性能和能效方面帶來進(jìn)一步優(yōu)勢。除了硬件創(chuàng)新之外，SK海力士還在積極爭取其先進(jìn)的2納米工藝節(jié)點(diǎn)的客戶。
韓國人工智能芯片公司DeepX就是其中之一，該公司最近簽約成為其2納米工藝節(jié)點(diǎn)之一，這一里程碑凸顯了SK海力士在韓國人工智能半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中迫切增長的作用。DeepX專注于嵌入在物理安全、機(jī)器人、家用電器、智能移動和智能相機(jī)等應(yīng)用中的人工智能半導(dǎo)體。潛在正值全球人工智能芯片供應(yīng)鏈競爭激烈的競爭之際，英偉達(dá)、臺積電、三星和美光科技等行業(yè)競相在對大型語言模型和高性能計(jì)算重要的內(nèi)存技術(shù)方面獲得性能和規(guī)模優(yōu)勢。
https://www.kedglobal.com/us/korean-chipmakers/newsView/ked202504180004
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