此前有報(bào)道稱，由于來自國內(nèi)DRAM廠商的競爭壓力越來越大，三大內(nèi)存原廠三星、SK海力士和美光都在考慮調(diào)整2025年的生產(chǎn)策略，可能會(huì)逐步停產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存，并將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到利潤更高的DDR5和HBM產(chǎn)品上。

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據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，三星已告知客戶，多款1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4即將停產(chǎn)，包括8/16GB的DDR4 SODIMM/UDIMM產(chǎn)品，另外還有1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將逐步停產(chǎn)，進(jìn)入EOL階段。三星要求客戶6月前完成下單，預(yù)計(jì)10月至12月之間完成出貨。

有業(yè)內(nèi)人士表示，目前中低端智能手機(jī)所采用的LPDDR4很大部分訂單已經(jīng)被長鑫存儲(chǔ)（CXMT）拿走，導(dǎo)致三星將資源投向LPDDR5以上的高端內(nèi)存產(chǎn)品。1z nm工藝制造的DDR4產(chǎn)量也在快速減少，預(yù)計(jì)2026年也會(huì)進(jìn)入EOL階段。由于ODM/OEM廠商仍然有DDR4的需求，華邦電子和南亞科技打算填補(bǔ)三星留下的市場空缺。

有消息稱，國內(nèi)DRAM廠商也在推進(jìn)高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的開發(fā)，預(yù)計(jì)2026年至2027年左右推出國產(chǎn)HBM3及HBM3E產(chǎn)品。由于來自國內(nèi)DRAM廠商的激烈競爭及美國關(guān)稅政策帶來的風(fēng)險(xiǎn)增加，全球不少DRAM和NAND閃存廠商在資本支出方面仍然保持謹(jǐn)慎。