本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
俄羅斯計劃在2030年前量產(chǎn)28nm芯片。
據(jù)報道，盡管面臨著重重困難，但俄羅斯仍決定按照原計劃在2030年前實現(xiàn)28nm芯片的本土化量產(chǎn)。
目前，俄羅斯莫斯科中央科學(xué)技術(shù)研究制造企業(yè)（MCST）已經(jīng)制造出符合企業(yè)期望的CPU，即基于SPARC架構(gòu)的Elbrus處理器。不過，也有人提出，在Elbrus處理器能夠切實投入使用之前，其生態(tài)系統(tǒng)必須先得到發(fā)展。
MCST 負(fù)責(zé)發(fā)展事務(wù)的副主任康斯坦丁?特魯什金此前在莫斯科的一場活動中表示：“我們希望在2028年至2030年間能出現(xiàn)芯片制造工廠。但我們明白，我們無法制造基于英特爾x86指令集架構(gòu)的處理器，因為沒人會授予我們這樣做的權(quán)利。因此，像Elbrus這樣采用不同指令集架構(gòu)的處理器，將會成為俄羅斯芯片制造廠的主要產(chǎn)品?！?/p>
特魯什金強調(diào)，依賴外國CPU會對俄羅斯的國家信息安全構(gòu)成不可接受的風(fēng)險，因此俄羅斯必須依靠國產(chǎn)硬件（即不使用Arm，不使用x86）。
然而，來自InfoTeKS公司的Dmitry Gusev對Elbrus的可行性提出了質(zhì)疑，他表示幾年前曾嘗試將Elbrus處理器集成到公司系統(tǒng)中，但由于缺乏能夠為該指令集調(diào)整軟件的人員，該計劃最終被放棄。他建議，在將Elbrus處理器用于更重要的領(lǐng)域之前，應(yīng)先通過教育和機(jī)構(gòu)投資來構(gòu)建一個圍繞Elbrus的支持性生態(tài)系統(tǒng)。政府不應(yīng)通過監(jiān)管壓力來強制推廣使用，而應(yīng)鼓勵大學(xué)和培訓(xùn)中心培養(yǎng)相關(guān)人才，這樣在五到八年后，企業(yè)就不再需要為爭奪有限的合格專業(yè)人才而競爭了。
俄羅斯開發(fā)出350nm光刻機(jī)
2025年3月，俄羅斯莫斯科市長謝爾蓋·索比亞寧在社交媒體上高調(diào)宣布，澤列諾格勒納米技術(shù)中心（ZNTC）成功研發(fā)出俄羅斯首臺350nm光刻機(jī)，代號為“曙光”，并即將進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。
據(jù)知情人士透露，“曙光”光刻機(jī)采用固態(tài)激光光源替代傳統(tǒng)汞燈，其22mm×22mm的曝光場域可覆蓋200毫米晶圓，核心能耗較同類設(shè)備降低30%。雖然該設(shè)備對標(biāo)ASML二十年前的PAS 5500系列，但俄羅斯工程師創(chuàng)造性引入軍用激光技術(shù)儲備，在光源穩(wěn)定性與設(shè)備壽命上實現(xiàn)突破。值得一提的是，其精密光學(xué)組件是由白俄羅斯Planar公司提供。
“曙光”光刻機(jī)首批訂單直指國防工業(yè)。某軍工聯(lián)合體流出的文件顯示，其將用于生產(chǎn)S-500防空系統(tǒng)芯片，替代此前依賴臺積電的180nm產(chǎn)品。民用領(lǐng)域，俄家電巨頭戈雷內(nèi)奇宣布年底推出搭載本土芯片的智能冰箱，試圖復(fù)制中國“洗衣機(jī)芯片”的逆襲路徑。
面對“技術(shù)過時”的質(zhì)疑，俄羅斯工貿(mào)部回應(yīng)：國內(nèi)60%的工業(yè)芯片需求集中于350nm以上制程，涵蓋軍工、能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域。此外有消息稱，伊朗、印度等新興市場已對俄制光刻機(jī)表現(xiàn)出采購意向，這種“高性價比替代方案”正在撬動中低端芯片市場格局。
在澤列諾格勒的藍(lán)圖中，“曙光”只是長征第一步。俄科學(xué)院同步推進(jìn)的X射線光刻項目，計劃以11.2nm波長直寫技術(shù)繞開ASML的13.5nm EUV專利墻，預(yù)計2028年沖擊7nm制程。
俄羅斯25.4億美元的半導(dǎo)體支持計劃
2024年，俄羅斯啟動25.4億美元計劃以支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā)，目標(biāo)是到2030年實現(xiàn)對于國外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的替代。
作為該計劃的一部分，俄羅斯計劃開辟20條不同技術(shù)路線的國產(chǎn)設(shè)備，包括從180nm到28nm的微電子學(xué)、微波電子學(xué)、光子學(xué)、電力電子學(xué)、光掩模生產(chǎn)、電子元件和模塊的組裝、無源電子學(xué)的生產(chǎn)等。
在預(yù)算分配方面，25.4億美元的資金支出將分布在各種國家計劃當(dāng)中，包括“電子和無線電電子工業(yè)的發(fā)展”計劃和“俄羅斯的科學(xué)和技術(shù)發(fā)展”計劃。其中，2023-2025年將有超過1000億盧布的“俄羅斯科學(xué)技術(shù)發(fā)展”得到補貼，這筆錢將用于開發(fā)微電子、微波、電力和光電子生產(chǎn)設(shè)備以及各種專用材料的研發(fā)工作。2023-2030年，俄羅斯CAD系統(tǒng)開發(fā)路線圖的研發(fā)（R&D）投入將達(dá)到546億盧布。
俄羅斯計劃在2026年底實現(xiàn)利用國產(chǎn)設(shè)備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應(yīng)用元素并控制輸出產(chǎn)品（X 射線衍射儀、缺陷控制）。同時，在2026年底完成用于350nm和130nm工藝技術(shù)的光刻設(shè)備和用于150nm生產(chǎn)節(jié)點的電子束光刻設(shè)備的開發(fā)，并能夠掌握外延法工藝。
更遠(yuǎn)期的目標(biāo)是，到2030年，俄羅斯能夠自主生產(chǎn)65nm或90nm制程的國產(chǎn)光刻系統(tǒng)。值得一提的是，該目標(biāo)將明顯提高俄羅斯生產(chǎn)微電子產(chǎn)品的能力，但仍將落后于目前全球行業(yè)領(lǐng)先水平25至28年。
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