近日臺積電（TSMC）舉辦了2025年北美技術論壇，公布了下一代A14制程工藝，旨在通過提供更快的計算和更高的能效來推動人工智能（AI）轉(zhuǎn)型。臺積電稱，A14制程工藝計劃2028年投產(chǎn)，目前的開發(fā)進展順利，良品率比預期的要高。按照過去的說法，雖然臺積電在A16上選擇不采用High-NA EUV光刻技術，但是到了A14會選擇加入。

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據(jù)Bits and Chips報道，臺積電已經(jīng)決定在A14制程工藝上不引入High-NA EUV光刻技術，仍然堅持使用原有的EUV光刻設備。臺積電相信，即便沒有High-NA EUV光刻設備，A14制程工藝依然可以實現(xiàn)性能、密度、良品率等目標。臺積電將通過限制這一代到下一代的掩模層數(shù)量，為客戶提供更經(jīng)濟實惠的解決方案，同時又不會犧牲關鍵部分的復雜性。

根據(jù)配置的不同，High-NA EUV光刻設備的價格約在3.85億美元起步，這將大大增加晶圓廠的成本。芯片制造商更傾向于重復利用現(xiàn)有的工具，所以臺積電也盡可能地避免使用High-NA EUV光刻設備，除非原有的EUV光刻系統(tǒng)無法繼續(xù)改進生產(chǎn)能力。與此同時，臺積電也在相關光刻材料上下功夫，以提高光刻工藝和良品率。

最近有IBM的研究人員表示，單次High-NA EUV的成本大概是普通EUV的2.5倍。直到目前為止，英特爾仍然是唯一一家致力于采用High-NA EUV光刻技術進行大批量生產(chǎn)的主要代工廠。