前言
傳統(tǒng)氮化鎵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)電路分離，驅(qū)動(dòng)電路需要單獨(dú)進(jìn)行設(shè)計(jì)，集成度低，設(shè)計(jì)復(fù)雜，同時(shí)氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)器之間的走線會(huì)產(chǎn)生寄生電感和寄生電阻，可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加、振鈴現(xiàn)象、誤導(dǎo)通等問(wèn)題，影響電路的性能和穩(wěn)定性，需要多次調(diào)整PCB布局和布線來(lái)盡量減小其影響。
最近充電頭網(wǎng)了解到，梵塔推出一款半橋GaN，型號(hào)為FCG65N150QF，其內(nèi)部集成半橋驅(qū)動(dòng)器、GaN晶體管以及自舉二極管，直接降低開關(guān)損耗和寄生參數(shù)影響，易于開發(fā)設(shè)計(jì)，且能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)的系統(tǒng)性能。
梵塔FCG65N150QF半橋GaN
梵塔FCG65N150QF氮化鎵合封器件創(chuàng)新性地集成了半橋驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)對(duì)稱半橋配置的650V耐壓、150mΩ導(dǎo)阻的GaN晶體管，同時(shí)將自舉二極管一并內(nèi)置，外圍精簡(jiǎn)，大幅削減了占板空間，并從根源上削弱了寄生效應(yīng)對(duì)電路性能的影響。
FCG65N150QF具備無(wú)反向恢復(fù)損耗的優(yōu)良特性，且開關(guān)延遲短，匹配誤差小。芯片內(nèi)置穩(wěn)壓器，低高兩側(cè)均配備UVLO保護(hù)功能，助力芯片的穩(wěn)定工作，提升內(nèi)置GaN工作效率，確保系統(tǒng)安全、高效運(yùn)轉(zhuǎn)。此外，該芯片支持可編程死區(qū)時(shí)間，用戶能夠依據(jù)實(shí)際產(chǎn)品需求精準(zhǔn)、靈活配置，有效提升了使用的便利性與適配性。
該芯片擁有工業(yè)級(jí)別的-40~125℃的耐受區(qū)間，搭配緊湊的QFN 9×9mm封裝，結(jié)構(gòu)緊湊且受惡劣環(huán)境影響小。憑借此優(yōu)勢(shì)，該產(chǎn)品能廣泛且適配地應(yīng)用于半橋、全橋、LLC以及AHB電路，以及對(duì)體積要求苛刻的高功率密度PD適配器、筆電適配器等多種場(chǎng)景。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
梵塔此次新推出的FCG65N150QF器件亮點(diǎn)十足，其高度集成的設(shè)計(jì)，為電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來(lái)前沿的半橋氮化鎵解決方案。
該半橋GaN驅(qū)動(dòng)器集成半橋驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)650V耐壓150mΩ導(dǎo)阻的GaN晶體管及自舉二極管，具備無(wú)反向恢復(fù)損耗、短暫開關(guān)延遲、小匹配誤差等優(yōu)勢(shì)，可以廣泛適用于多種對(duì)體積有嚴(yán)苛要求的高功率密度適配器場(chǎng)景。
充電頭網(wǎng)了解到，梵塔以解決客戶的系統(tǒng)應(yīng)用問(wèn)題為基礎(chǔ)，結(jié)合數(shù)字和模擬的優(yōu)點(diǎn)，專注于研發(fā)數(shù)字化，智能化和模塊化的高端節(jié)能電源管理芯片及方案，致力于幫助客戶實(shí)現(xiàn)高頻，高效和高功率密度的開關(guān)電源設(shè)計(jì),助力實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換和“雙碳”目標(biāo)。產(chǎn)品包含AC-DC, DC-DC及功率模塊，電池管理等，應(yīng)用于服務(wù)器電源，基站電源，TV電源和新能源等，覆蓋工業(yè)及消費(fèi)電子。 產(chǎn)品工藝覆蓋700V UHV和40V~100V BCD等。
梵塔擁有完整的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，豐富的數(shù)模電源管理產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及各種IP。公司一直以研發(fā)行業(yè)新技術(shù)，新產(chǎn)品為宗旨，積極開展各項(xiàng)創(chuàng)新工作。到目前為止，已撰寫和申請(qǐng)了30+發(fā)明專利和實(shí)用型新型專利，已獲得國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授權(quán)發(fā)明專利6項(xiàng)，實(shí)用型新型專利2項(xiàng)。
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