眾所周知，目前主要的芯片制造方案，均采用的是光刻技術，而光刻技術最重要的就是光刻機。
光刻機領域，ASML一家獨占了80%以上的市場份額，特別是最高端的EUV光刻機，全球僅ASML一家能夠制造。
而EUV又用于7nm以下的芯片制造，所以說ASML卡住了全球所有先進芯片制造企業(yè)的脖子。
所以一直以來，全球眾多的企業(yè)，都在想方設法，繞過ASML的封鎖，特別是繞過EUV光刻機技術，掌握另外的芯片制造技術，那么全球的芯片設備格局都可能被改寫。
事實上，之前也有好幾套技術方案，比如日本研究的NIL納米壓印技術，佳能就有推出相關的設備，據(jù)說也能用于5nm芯片的制造。
還有美國之前搞了EBL電子束技術，據(jù)稱也能夠用于5nm及以下芯片的制造。
還有歐洲搞什么DSA自生長技術，還有俄羅斯提出什么X射線方案等，但其真正的可以拿出來公布的進度并不多。除了佳能的NIL方案，據(jù)說已經(jīng)用于實際生產(chǎn)之外，其它的只是傳聞。
但是近日，傳聞變成了現(xiàn)實，英國南安普敦大學宣布，成功開設了首個分辨率達 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心。
這種產(chǎn)品，據(jù)稱可以制造下一代半導體芯片，并且是不需要EUV光刻機的芯片制造技術，據(jù)稱這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。
不過，目前這一代產(chǎn)品，也并不是沒有缺點，那就是目前它還只能用于200mm的晶圓，也就是8寸的，要支持300mm也就是12寸的，據(jù)稱要等到下一代技術才行。
但不可否認的是，一旦這種電子束光刻機大突破，解決了產(chǎn)能、分辨率等等問題之后，ASML的麻煩就來了，到時候ASML就無法一家獨大了，那當前的這種局面，肯定會產(chǎn)生巨大的洗牌。
當然，對于我們而言，表現(xiàn)上來看似乎也是利好，畢竟這么多的產(chǎn)品推出，我們有了更多的選擇，但關鍵是，這些產(chǎn)品和技術都不是中國的，所以就算對方有，也未必會賣給我們，所以我們還是努力加油吧，只有自己有，才能避免被卡脖子。
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