2024年，當(dāng)三星半導(dǎo)體部門為3nm工藝的良率焦頭爛額時(shí)，一定不會(huì)想到，一個(gè)中國(guó)人的離開會(huì)讓三星的技術(shù)陷入如此困境。
而曾帶領(lǐng)三星實(shí)現(xiàn)制程飛躍的梁孟松，如今回到中國(guó)加入中芯國(guó)際，再次幫助中芯國(guó)際崛起。
可以說(shuō)，現(xiàn)在的三星，在3nm良率不足20%，而高通、英偉達(dá)等轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的困境中，印證了這位芯片傳奇人物的真正價(jià)值。
一、力挽狂瀾的技術(shù)救星
2009年，臺(tái)積電的一些內(nèi)部風(fēng)波讓時(shí)年57歲的梁孟松負(fù)氣出走。這位參與過(guò)臺(tái)積電0.13微米銅制程、28nm工藝研發(fā)的核心人物，最終選擇在韓國(guó)開啟事業(yè)第二春。
當(dāng)時(shí)的三星正困在28nm工藝泥潭中，與臺(tái)積電20nm的差距看似難以逾越。
梁孟松的到來(lái)改變了游戲規(guī)則。他力排眾議，跳過(guò)業(yè)界通行的20nm節(jié)點(diǎn)，直接押注FinFET立體晶體管技術(shù)。
2014年，三星14nm工藝橫空出世，晶體管密度比臺(tái)積電16nm高，功耗更低。這場(chǎng)豪賭不僅讓三星搶下蘋果A9處理器40%的訂單，更讓三星有了與臺(tái)積電PK的勇氣和能力。
二、斷裂的技術(shù)傳承
但是在2017年，梁孟松離開了三星，加入了中芯國(guó)際。
而這也成為了三星芯片技術(shù)落后的開始：2018年三星10nm工藝尚能維持競(jìng)爭(zhēng)力，到2020年5nm節(jié)點(diǎn)卻出現(xiàn)戲劇性滑坡。采用三星5nm工藝的 后來(lái)?yè)?jù)稱，三星5nm良率僅有35%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的80%，而到3nm時(shí)，良率只有20%，導(dǎo)致曾經(jīng)的客戶高通、英偉達(dá)都怕了，紛紛不敢讓三星代了。 三、難以填補(bǔ)的人才缺口 事實(shí)上，如果懂芯片工藝的人都清楚，梁孟松的出走恰逢三星半導(dǎo)體工藝進(jìn)入深水區(qū)。當(dāng)制程進(jìn)入5nm以下，量子隧穿效應(yīng)、光刻精度等難題呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這恰恰需要梁孟松這類既懂基礎(chǔ)研究又擅工程轉(zhuǎn)化的"橋梁型"人才。 而對(duì)比臺(tái)積電的穩(wěn)健，三星的技術(shù)斷層愈發(fā)明顯。前者在7nm時(shí)代就建立起了整個(gè)核心團(tuán)隊(duì)，而三星至今仍在重復(fù)梁孟松時(shí)代的"集中攻堅(jiān)"模式。一位前三星工程師坦言："梁博士在的時(shí)候，他就像活體技術(shù)路線圖，現(xiàn)在我們需要用三倍的人力試錯(cuò)。" 四、中國(guó)芯片的意外收獲 就在三星陷入技術(shù)困局時(shí)，梁孟松在中芯國(guó)際完成三次工藝跨越。2019年帶領(lǐng)中芯國(guó)際突破14nm，2020年實(shí)現(xiàn)N+1工藝（等效7nm），如今技術(shù)不再對(duì)外公布，但大家猜測(cè)，至少達(dá)到了等效5nm，真假未知。 這個(gè)技術(shù)雖然與頂尖水平仍有差距，但這位大神，依然用實(shí)際成績(jī)，證明了自己的能力。 半導(dǎo)體行業(yè)向來(lái)有"一代設(shè)備，一代工藝，一代人才"的說(shuō)法。三星的教訓(xùn)表明，技術(shù)突圍不能僅靠個(gè)別天才，更需要建立可持續(xù)的人才培養(yǎng)體系。當(dāng)梁孟松在中芯國(guó)際培養(yǎng)出第三代研發(fā)團(tuán)隊(duì)時(shí)，曾經(jīng)依靠他實(shí)現(xiàn)逆襲的三星，正在為當(dāng)年的"人才斷檔"付出代價(jià)。或許正如ASML工程師所言："芯片戰(zhàn)爭(zhēng)真正的勝負(fù)手，不在光刻機(jī)的數(shù)量，而在實(shí)驗(yàn)室里那些沉默的頭腦。"
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