日前，華為發(fā)布了闊折疊手機PuraX，引發(fā)行業(yè)熱烈關注。而就在最近的拆解視頻中顯示，剛開賣的手機拆出來的芯片，比原來厚了一大截。華為Pura X搭載的麒麟9020芯片采用全新一體式封裝工藝。
拆解視頻顯示，麒麟9020封裝方式從夾心餅結構轉(zhuǎn)變?yōu)榱薙oC、DRAM一體化封裝，暫時還不清楚是CoWoS還是InFO-PoP，亦或者其他封裝形式。但無論如何，這又是國內(nèi)先進封裝能力的又一次展現(xiàn)。國內(nèi)芯片設計廠、封裝廠和內(nèi)存廠的相互協(xié)同已經(jīng)初現(xiàn)端倪。
據(jù)了解，蘋果手機SoC此前便已經(jīng)采用了類似的先進封裝技術，將DRAM垂直堆疊在了SoC上方，即臺積電的PoP。只不過SoC本身仍然是單個整體芯片。
01
蘋果采用的PoP和InFO-PoP封裝是什么？
當蘋果公司的iPhone在2007年亮相時，隨即便被拆開展現(xiàn)在眾人面前，層疊封裝技術進入了人們的視野。PoP曾經(jīng)是眾人關注的焦點。然而有相當長的一段時間內(nèi)PoP消失了。之后，更先進的手機將處理器和存儲器結合在一起，PoP又成為這類手機的封裝選擇方案。
層疊封裝（Package on Package，PoP）是一種集成電路封裝技術，它將兩個或多個芯片封裝在一起，形成一個整體。這種封裝技術通常用于移動設備和其他小型電子設備中，以節(jié)省空間并提高性能。在PoP中，一個芯片被放置在另一個芯片的頂部，形成一個層疊結構。這種結構可以通過焊接或其他連接技術進行連接。通常，上層芯片是處理器或存儲器，而下層芯片是DRAM或其他類型的存儲器。
而InFO（全稱為Integrated Fan-Out，意為集成式扇出型封裝）技術則是臺積電于2016年推出的一種技術。InFO-PoP即表示InFO封裝對PoP封裝的配置。InFO 技術是將芯片直接放置在基板上，通過RDL（Re-distributed layer，重布線層）實現(xiàn)芯片和基板的互連，無需使用引線鍵合，RDL在晶圓表面形成，可以為鍵合墊片重新分配更大的間距，從而允許更多的I/O連接，實現(xiàn)更緊湊和高效的設計。
晶圓級封裝一般需要RDL工藝，因為晶圓上的焊盤大部分是鋁焊盤，無論是做晶圓級封裝還是板級封裝，鋁金屬不易做后續(xù)處理，都需要用另外的金屬來覆蓋鋁。RDL是將原來設計的芯片線路接點位置(I/O pad)，通過晶圓級金屬布線制程和凸塊制程改變其接點位置，同時滿足焊球間最小間距的約束。
InFO技術在2016年的蘋果A10芯片上得到應用，并衍生出新的技術應用：InFO-oS、InFO-LSI、InFO-PoP以及InFO-AiP等。
InFO-oS技術可集成多個高級邏輯芯片，在封裝內(nèi)部實現(xiàn)更高的集成度，適用于5G組網(wǎng)應用。InFO-LSI技術類似于英特爾的嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術，可以實現(xiàn)極致的互連帶寬和成本的折中，其利用硅基互連的方式實現(xiàn)不同芯片層之間的連接。該技術允許在同一封裝內(nèi)部進行高速信號傳輸，從而提高了系統(tǒng)的性能和功耗效率。InFO-LSI技術適用于需要高速信號傳輸和通信的應用領域，如高性能計算、人工智能、通信和網(wǎng)絡設備等領域。這些領域通常需要在封裝層內(nèi)部進行復雜的數(shù)據(jù)處理和通信，因此，InFO-LSI 技術具有重要意義。InFO-PoP 技術是一種將InFO 與PoP 相結合的技術。這種技術通常用于需要同時集成多個芯片的應用場景，如移動設備等領域，可以實現(xiàn)更高的集成度和更多的功能。InFO-AiP 技術是一種在InFO 封裝中集成天線的技術。這種技術可以將天線直接集成在封裝中，從而實現(xiàn)更緊湊的設計和更好的信號傳輸性能。InFO-AiP 技術通常用于移動設備、物聯(lián)網(wǎng)和通信設備等領域，可以實現(xiàn)更優(yōu)異的無線連接性能。
02
InFO-PoP封裝優(yōu)勢明顯
2016年推出的iPhone 7中的 A10處理器，采用TSMC 16nm FinFET 工藝以及 InFO（Integrated Fan-out）技術，成功將AP與LPDDR整合在同一個封裝中，為未來幾年的移動封裝技術立下新的標桿。InFO封裝也成為臺積電獨占蘋果A系列處理器訂單的關鍵技術之一。在這一年，能量產(chǎn)InFO封裝的也僅TSMC一家。多年來，蘋果A系列處理器與DRAM都是采用臺積電InFO-PoP封裝技術封裝在一起，將DRAM頂部封裝上的凸塊利用貫穿InFO過孔（TIV）到達RDL層，再與邏輯芯片互聯(lián)，以減小整體的芯片尺寸，減少占板面積，時確保強大的熱和電氣性能。
那么這種技術帶來了哪些優(yōu)勢呢？
這種技術的一個關鍵優(yōu)勢是其靈活性，因為 DRAM 封裝可以很容易地更換。此外，由于芯片被層疊在一起，PoP技術可以節(jié)省空間，使設備更小更輕。由于芯片之間的連接更短，還可以提高芯片性能并減少延遲。
由于InFO引入了RDL層，芯片設計者可以通過對RDL的設計代替一部分芯片內(nèi)部線路的設計，從而降低設計成本；采用RDL能夠支持更多的引腳數(shù)量；采用RDL還使I/O觸點間距更靈活、凸點面積更大，從而使基板與元件之間的應力更小、元件可靠性更高；RDL層使用了高分子聚合物(Polymer)為基礎的薄膜材料來制作，可以取代封裝載板，節(jié)約成本；RDL還可以把不同種類的芯片連接在一起，實現(xiàn)多芯片封裝互連。
03
手機芯片開始角逐先進封裝
蘋果是較早引入先進封裝的手機芯片商，其一直致力于將先進封裝技術應用于手機芯片。主要是因為：
蘋果一直和臺積電先進封裝有深度合作研發(fā)，也總是首批采用最先進制程的高凈值客戶。蘋果比別家更有迫切需求采用先進封裝技術壓低成本。尤其是3nm流片和晶圓成本已經(jīng)一倍于5nm，2nm成本繼續(xù)翻一倍還不止，就是再高凈值客戶，也無法承受了。
蘋果的M1 Ultra 芯片首次實現(xiàn)了GPU內(nèi)部高速通信表明，在SoC層面，蘋果也有比較高效的D2D通信協(xié)議和物理層設計，這走在了ARM陣營的前面，未來應用到手機SoC會比別家更容易。而這也需要先進封裝的支持，蘋果甚至還創(chuàng)新定制了封裝架構UltraFusion。
此外，蘋果有更強的IP復用需求。蘋果芯片覆蓋手機、平板、筆記本和工作站，同時像基帶和wifi控制器等IP又來自高通、博通，但隨著蘋果自研基帶的推出，后續(xù)可能會逐步將這些模塊替換為自研的。這勢必也要求將SoC各個模塊做成可復用、可更換的，來確保成本。這種情況下，Chiplet封裝工藝更具有優(yōu)勢。
目前來看，安卓陣營也在逐漸走向這一趨勢。無論是代工成本的考量，還是PC芯片的IP復用需求都需要先進封裝的支持。
國內(nèi)手機芯片廠商也在和下游廠商深度合作開發(fā)相關技術。實際上此前一家國內(nèi)知名的手機SoC設計公司便公開了一種芯片堆疊封裝及終端設備專利，申請公布號為CN114287057A，可解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。專利摘要顯示，該專利涉及半導體技術領域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。這有利于進一步降低先進封裝的成本。
另外，今年五月份將推出的鴻蒙PC，同樣有很強的IP復用需求。而高通也一直在謀劃進入AIPC的賽道，此前還曾推出驍龍X Elite。
04
蘋果或放棄封裝堆疊內(nèi)存？
不過，有消息稱，從2026年開始，蘋果將在iPhone 18系列中放棄現(xiàn)有的封裝堆疊內(nèi)存（PoP）設計，轉(zhuǎn)而采用芯片與內(nèi)存分離的架構。
一直以來，蘋果在硬件設計上的追求可以用“精致極簡”來形容。無論是iPhone、iPad還是Mac，它們內(nèi)部的芯片和內(nèi)存多采用封裝堆疊技術。雖然對于寸土寸金的移動設備來說，封裝堆疊技術能減少芯片面積、縮短內(nèi)存與主芯片之間的物理距離，從而降低數(shù)據(jù)傳輸延遲，提高電源效率。但PoP技術也有其局限性。由于內(nèi)存封裝尺寸受到SoC（系統(tǒng)級芯片）尺寸的限制，這直接影響到I/O引腳的數(shù)量，進而限制了數(shù)據(jù)傳輸速率和性能。這一點，在面對高帶寬需求的人工智能運算時，表現(xiàn)得尤為明顯。
消息稱，蘋果計劃在iPhone 18中采用芯片與內(nèi)存分離的設計，顯然是一次為性能服務的妥協(xié)。這種分離設計雖然在物理距離上拉長了內(nèi)存和芯片之間的傳輸路徑，但它也解鎖了更多的I/O引腳，能極大地提升數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬。
據(jù)悉，蘋果正在與三星合作開發(fā)下一代LPDDR6內(nèi)存技術，其數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬預計是目前LPDDR5X的2至3倍。如此高的性能提升，對于日益依賴本地AI計算的智能手機來說無疑是個巨大的利好。無論是AI實時翻譯、圖像識別，還是更加智能化的Siri，這些場景都需要更高的內(nèi)存帶寬來支持更快的數(shù)據(jù)吞吐量。
此外，分離設計還有助于散熱優(yōu)化。相比于堆疊封裝的設計，內(nèi)存與SoC物理分離后，每個組件的散熱效率將得到提升，降低芯片過熱導致的性能瓶頸。
不過這并不代表蘋果將放棄先進封裝，而是可能采取更合適的先進封裝技術。
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