芯東西（公眾號：aichip001）
編譯 金碧輝
編輯 程茜
芯東西4月21日消息，據(jù)韓國ET News報道，三星電子與荷蘭ASML公司決定終止原計劃在韓國京畿道華城建設(shè)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)研發(fā)中心項目。該項目于2023年12月由韓國總統(tǒng)尹錫悅訪荷期間宣布，原計劃投資1萬億韓元（折合人民幣約為51億元），旨在推動2nm以下制程芯片的量產(chǎn)技術(shù)突破。
ASML已開始處置該項目相關(guān)資產(chǎn)。2024年6月購入的6塊總計1.9萬平方米土地中，已有2塊完成出售，另外2塊正在掛牌交易。這一動作引發(fā)業(yè)界對雙方合作穩(wěn)定性的猜測，但據(jù)韓國科技媒體ET News報道，雙方正尋求更高效的替代方案，包括將研發(fā)中心遷至華城以外地區(qū)，甚至考慮直接入駐三星半導(dǎo)體園區(qū)。
▲三星電子慶桂顯與ASML CEO彼得?本寧克簽署關(guān)于設(shè)立下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)研發(fā)中心的諒解備忘錄（MOU）
ASML最新財報顯示，韓國市場在2025年第一季度貢獻了其40%的營收，首次超越中國成為全球最大客戶。這一增長主要得益于三星和SK海力士對High-NA EUV光刻機的大規(guī)模采購——僅一季度便有23臺單價高達3.5億美元（折合人民幣約為25.3億元）的EXE:5000設(shè)備完成交付，該機型單季出貨量占據(jù)全球總量的58%。
▲全球光刻機龍頭ASML公布了2025年第一季度財報
技術(shù)層面，三星已在3月初將首臺High-NA EUV光刻機引入華城工廠，用于2nm工藝研發(fā)。該設(shè)備采用0.55數(shù)值孔徑技術(shù)，可實現(xiàn)1.4nm線寬的光刻精度，為下一代芯片量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
同時，在先進制程領(lǐng)域，三星SF2（2nm）工藝試產(chǎn)良率已達30%，超出內(nèi)部預(yù)期。該工藝采用第三代GAA晶體管技術(shù)，相比3nm節(jié)點能效提升25%，性能提高12%，芯片面積縮小5%。
SF2工藝的Exynos 2600處理器計劃于2025年第四季度量產(chǎn)，生產(chǎn)后的處理器預(yù)計將用于2026年發(fā)布的Galaxy S26系列手機。這一進度領(lǐng)先于臺積電N2工藝（2025年底量產(chǎn)），有望使三星成為全球首個實現(xiàn)2nm芯片商用化的廠商。
ASML對韓國市場的投入持續(xù)加碼。除研發(fā)中心外，ASML還在華城建設(shè)客戶培訓(xùn)與設(shè)備支持中心，總投資達3.2萬億韓元（折合人民幣約為163.2億元）。
結(jié)語：三星ASML協(xié)作加速2nm量產(chǎn)競賽
ASML雖終止獨立研發(fā)中心，取消在華城建廠，但通過高密度設(shè)備的交付（單季23臺占比近六成）可以看出與三星的合作仍然在繼續(xù)。同時，三星2nm工藝良率提升至30%，較原計劃提前半年進入量產(chǎn)準(zhǔn)備。
此次合作調(diào)整折射出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的兩大趨勢:一是頭部企業(yè)加速技術(shù)本地化布局，三星通過將研發(fā)中心嵌入自有園區(qū)，可縮短技術(shù)轉(zhuǎn)化周期;二是地緣政治因素影響加深，韓國在美國對華技術(shù)限制背景下，正通過擴大本土產(chǎn)能鞏固供應(yīng)鏈安全。援引The Korea Economic Daily、Financial Times（FT）和Bloomberg News。
來源：TrendForce、ET News 、CNBC和The Financial News
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