財(cái)聯(lián)社4月24日訊（編輯 劉蕊）美東時(shí)間周三（4月23日），臺(tái)積電在美國(guó)的北美技術(shù)研討會(huì)上發(fā)布了其1.4納米級(jí)半導(dǎo)體工程技術(shù)A14，并承諾該技術(shù)將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其N2（2納米級(jí)）工藝帶來(lái)顯著提升。

這將進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并進(jìn)一步拉大與英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

臺(tái)積電公布1.4nm芯片技術(shù)制造工藝

A14是臺(tái)積電的下一世代制程技術(shù)。臺(tái)積電稱，其表現(xiàn)將明顯超越當(dāng)前最先進(jìn)的3納米制程，以及今年晚些時(shí)候即將量產(chǎn)的2納米制程。

臺(tái)積電稱，該技術(shù)旨在通過(guò)提供更快的計(jì)算速度和更高的能效來(lái)推動(dòng)人工智能轉(zhuǎn)型，此外，它還有望通過(guò)提升智能手機(jī)的內(nèi)置AI功能，使其更加智能。

據(jù)臺(tái)積電公布的數(shù)據(jù)顯示，與即將于今年晚些時(shí)候量產(chǎn)的N2工藝相比，A14將在相同功耗下實(shí)現(xiàn)高達(dá)15%的速度提升，或在相同速度下降低高達(dá)30%的功耗，同時(shí)邏輯密度將提升20%以上。

臺(tái)積電聲稱，A14計(jì)劃于2028年投產(chǎn)，目前開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，良率已提前實(shí)現(xiàn)。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官魏哲家表示：

“我們的客戶始終著眼于未來(lái)，而臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力和卓越的制造能力為他們提供了可靠的創(chuàng)新路線圖。臺(tái)積電的尖端邏輯技術(shù)（例如A14）是連接物理世界和數(shù)字世界的全面解決方案的一部分，旨在釋放客戶的創(chuàng)新潛能，推動(dòng)人工智能的未來(lái)發(fā)展?！?/blockquote>

展望未來(lái)，臺(tái)積電還計(jì)劃依次推出A14P、A14X、A14C等多種版本的衍生工程技術(shù)，其中， A14P是包括背側(cè)電力供應(yīng)在內(nèi)的高性能版本，A14X和A14C將分別以性能最優(yōu)化型和成本節(jié)省型模式進(jìn)行優(yōu)化。

此外，臺(tái)積電還計(jì)劃在2026年底推出A16制程，即采用1.6nm的制程技術(shù)。