前言
PCIe 5.0硬盤已經(jīng)出來很久了，但是一直以來普及程度都不高。一方面是價格太高，另一方面則是使用的體感提升不大。但你不能否認這個世界上有人需要這么快的硬盤去干一些事情。而本次評測的硬盤也是由粉絲Lvy送測提供的，非常感謝！借此來帶大家體驗一下土豪世界里，使用一塊PCIe 5.0還是4T容量的硬盤感覺是如何。
三星 9100 PRO 4T 規(guī)格：
規(guī)格：M.2 2280
容量：4TB
標(biāo)稱順序讀寫：14800/13400 MB/s
標(biāo)稱隨機讀寫：2200K/2600K IOPS
接口：PCIe 5.0 x4
壽命：2400TBW
協(xié)議：NVMe 2.0
顆粒：三星 第八代 V-NAND TLC
SLC緩存：~950GB
售價：3299
外觀一覽
這位粉絲是直接買了全新的硬盤就發(fā)過來給我們測試了，說是花錢跑分不為過。對于我這個沒見過幾個PCIe 5.0硬盤的人來說，仿佛是劉姥姥進大觀園。不過有一說一，目前國內(nèi)三星固態(tài)是國通代理，嗯，沒聽過。
包裝就很簡單了，一封說明書保修卡，以及用回收壓殼紙做的內(nèi)包裝。
固態(tài)本體一覽，4T的硬盤采用的還是單面的設(shè)計，說明現(xiàn)在的單顆粒容量已經(jīng)堆到16Tb了。
因為這塊固態(tài)還要考慮保修的問題，而三星的這個貼紙不僅是散熱貼還是易碎紙，所以就不撕開影響質(zhì)保了。但因為貼紙比較小，還是能看到一點信息。
主控為三星5nm自研主控Presto S4LY027。緩存Samsung LPDDR4X 4266 32Gb。
顆粒為三星第八代 V-NAND TLC 16Tb*2，這個顆粒和上一代990 PRO一樣，這也就意味著顆粒的提升會微乎其微，尤其會影響TLC緩?fù)鈱懭胨俣取?/p>
測試
測試項目：
①：ASSSD 2.0.7316.34247 5G
②：CrystalDiskMark 8.0.6 16G
③：TX-bench下空盤狀態(tài)對比85%滿盤
（1、2）95%順序讀?。▽懭耄?5%隨機寫入（讀?。M系統(tǒng)盤下讀寫大型數(shù)據(jù)）
（3、4）50%隨機（順序）讀取/50%隨機（順序）寫入（模擬非系統(tǒng)盤內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫）
（5）80%順序?qū)懭?20%順序讀?。M常見大型數(shù)據(jù)讀寫）
（6）60%順序?qū)懭?40%隨機寫入（模擬混合寫入隊列）
*所有混合隊列讀寫任務(wù)使用QD8，模擬日常系統(tǒng)使用的隊列深度，持續(xù)時間為60秒
④：SLC-Cache測試與溫度測試
測試平臺：
CPU： Intel Core i9 14900K
主板：華碩 ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO
內(nèi)存：金百達 黑刃 32GB×2 DDR5 6000 C36
主硬盤：達墨 水瓶座 2T
散熱：鑫谷 昆侖MU-360 ARGB
電源：鑫谷 昆侖 KE-1300P 冰山版
環(huán)境溫度：26℃
系統(tǒng)版本：Windows 11 24H2
測試固態(tài)選擇第一條直連通道，并有一顆12cm風(fēng)扇進行直吹。
CrystalDiskInfo：
0寫入是正確的，5次通電是因為重啟設(shè)置參數(shù)?？梢钥吹阶R別5.0 x4沒有問題。
AS SSD Benchmark：
AS-SSD娛樂跑分，這個軟件已經(jīng)有點老了，速度超過10G的情況下不僅顯示不對，因為測試數(shù)據(jù)量太小甚至沒法反映真實速度。所以圖一樂就行。
CrystalDiskMark：
相比之下，CDM跑分反而還好用一點。雖然說順序讀寫速度沒有超過標(biāo)稱的14800，但也是99%接近的水平。4K的性能大約只有900K IOPS，為什么不達標(biāo)，原因就在于隊列深度不夠。
現(xiàn)在的SSD 4K標(biāo)稱值都需要非常深的隊列才能達到標(biāo)稱的數(shù)據(jù)。我這里的Q8T8已經(jīng)代表了同時進行8個線程的正常隨機讀寫?？戳艘幌戮W(wǎng)上別人的數(shù)據(jù)，基本都要設(shè)置到Q32T16的參數(shù)，日常使用根本不可能達到。
這也是很多所謂高性能SSD提升感覺不明顯的原因之一。順帶一提，PCIe 4.0時代的旗艦硬盤P44 PRO 2T的4K Q8T8也在3900MB/s左右。
TX bench：
圖表閱讀方法：同時測試讀寫時，左邊縱坐標(biāo)為讀取單位，右邊縱坐標(biāo)為寫入單位。橫坐標(biāo)為時間，從左到右從上到下閱讀。
首先我們來看看左一排的95%順序讀取/5%隨機寫入，模擬的是系統(tǒng)盤進行大規(guī)模讀取時系統(tǒng)所能留有的冗余運作空間。9100 PRO的表現(xiàn)一般般，寫入只有4.5MB/s的隨機寫入空間。對比之下鎧俠 VD10 2T都有6.8MB/s。
中一排為95%順序?qū)懭?5%隨機讀取，模擬的是系統(tǒng)盤進行大規(guī)模寫入時系統(tǒng)所能留有的冗余運作空間。9100 PRO的SLC緩存接近全盤寫入，13G的寫入速度在60秒內(nèi)就已經(jīng)寫了780G，如果再長一點就會降速了。85%寫滿下是純TLC寫入，此時TLC的寫入性能大約只有1600MB/s。
右一排與左二排分別為順序與隨機的50%讀取/50%寫入，模擬的是非系統(tǒng)盤內(nèi)進行的讀寫操作。9100 PRO可以實現(xiàn)盤內(nèi)6200MB/s的順序讀寫和230MB/s的隨機讀寫。85%滿盤后順序讀寫的損失非常大，只剩1400MB/s，隨機讀寫倒沒有什么下降，大約200MB/s。
中二排為80%順序?qū)懭?20%順序讀取，模擬的是常見大型數(shù)據(jù)的讀寫操作。9100 PRO沒有出現(xiàn)一些SLC緩存固態(tài)因為SLC轉(zhuǎn)TLC處理不來而掉速的問題，所以和上面的測試速度類似，都在200-1600之間徘徊。
右二排為60%順序?qū)懭?40%隨機寫入，模擬的是不常見的大規(guī)?；旌蠈懭?，比如一些下載，緩存隊列等。可以看到9100 PRO的控制器依舊能頂住壓力，完成SLC轉(zhuǎn)TLC并寫入數(shù)據(jù)的壓力操作，沒有出現(xiàn)奇怪的突然掉速。所以這快盤的瓶頸就在NAND上了。
SLC-Cache與溫度
SLC-Cache直接使用Tx-Bench RAW模式進行讀寫?？梢钥吹?100 PRO的緩前緩后性能還是很穩(wěn)定的。大約80秒之后從~12400MB/s跌倒~1500MB/s。換算下來大概950-1000GB左右。這次測試的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)為948GB。
測試后記錄得最高溫度為60度，需要注意此時還有風(fēng)扇直吹。如果放到機箱內(nèi)，真的全速測試的話，跑到70-80度也不奇怪。不過平時壓力測試基本達不到這個水平。如果真的有這么高的性能需求，務(wù)必上主動散熱。
總結(jié)
9100 PRO 4T最終排名為4，作為家用硬盤，僅次于P44 PRO 2T。其實可以看到讀寫速度比確實是最快的，但可惜P44 PRO的響應(yīng)速度比你快的不是一點點。而如果包括企業(yè)硬盤的話，還有大哥PM1735 1.6T。
總的來說，這塊硬盤的亮點就在于接近14GB/s的低隊列順序讀寫性能，在更讓人有感知的4K低隊列表現(xiàn)上并沒有明顯質(zhì)的飛躍。除此以外還有背靠三星軟件保修支持，不過2400TBW對比對手只能說旗鼓相當(dāng)。
至于價格方面，說實話，3299的4T真心已經(jīng)不算貴了。畢竟當(dāng)年我們買剛出的PCIe 4.0不也差不多1T 1000，當(dāng)然隨著國產(chǎn)顆粒和主控的普及，一大堆無緩PCIe 4.0沖擊市場，我們才有今天1T 300的美好市場。下一步到底會是誰發(fā)力呢？我們拭目以待！
附錄
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