CFM閃存市場(chǎng)近日發(fā)布2025年存儲(chǔ)市場(chǎng)月度報(bào)告。報(bào)告指出，二季度Mobile市場(chǎng)嵌入式NAND價(jià)格博弈空前劇烈，LPDDR4X/5X ASP小幅上揚(yáng)。

二季度原廠(chǎng)嵌入式價(jià)格策略不一，供需博弈空前劇烈。在NAND保利潤(rùn)的基調(diào)下，部分原廠(chǎng)堅(jiān)定拉漲嵌入式UFS價(jià)格。不過(guò)由于原廠(chǎng)Q2價(jià)格策略不一致，部分手機(jī)終端已率先與其他供應(yīng)商談定價(jià)格基調(diào)，令市場(chǎng)形成一定價(jià)格預(yù)期，Q2嵌入式NAND價(jià)格艱難博弈。LPDDR ASP呈個(gè)位數(shù)上漲，LPDDR4X備貨需求增加價(jià)格穩(wěn)定，LPDDR5X二季度出現(xiàn)3~8%的上漲。

供應(yīng)端：部分嵌入式NAND價(jià)格強(qiáng)勢(shì)拉漲，LPDDR5X 12GB和LPDDR4X 6GB供應(yīng)緊張。由于NAND接近原廠(chǎng)成本線(xiàn)，存儲(chǔ)原廠(chǎng)在NAND策略上仍以控貨保利潤(rùn)為主，部分原廠(chǎng)削減嵌入式存儲(chǔ)的出貨目標(biāo)。但當(dāng)前NAND的減產(chǎn)效果有限，市場(chǎng)NAND整體供應(yīng)仍然偏多，終端備貨需求未見(jiàn)明顯提高的情況下，供應(yīng)端NAND價(jià)格拉漲艱難。尤其是高容量UFS價(jià)格供應(yīng)仍然多于需求，后續(xù)不排除為保障利潤(rùn)持續(xù)控制并削減NAND產(chǎn)能。DRAM方面，原廠(chǎng)大幅削減舊制程DRAM產(chǎn)能，加速向1a/1b制程切換，同時(shí)服務(wù)器DRAM產(chǎn)能擠占效應(yīng)顯現(xiàn)，消費(fèi)類(lèi)DRAM產(chǎn)品出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需緊張，6GB LPDDR4X和12GB LPDDR5X供應(yīng)尤為緊張，二季度LPDDR4X ASP達(dá)到0.022 USD/Gb，LPDDR5X價(jià)格出現(xiàn)約3%~8%的漲幅。

需求端：嵌入式存儲(chǔ)庫(kù)存水位得到改善，部分終端加單LPDDR4X，尋求低價(jià)回補(bǔ)庫(kù)存。手機(jī)品牌市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng)激烈，目前整機(jī)庫(kù)存在渠道環(huán)節(jié)有些積壓，不過(guò)終端嵌入式存儲(chǔ)庫(kù)存水位已經(jīng)得到有效改善。在NAND和LPDDR4X價(jià)格回落至較低的水平時(shí)，手機(jī)終端低價(jià)備貨意愿有所增強(qiáng)，而原廠(chǎng)堅(jiān)定NAND保利潤(rùn)的態(tài)度，供需雙方存在較大預(yù)期差仍需艱難博弈。

整體來(lái)看，二季度供應(yīng)商之間價(jià)格分化漲跌各異，部分原廠(chǎng)嘗試?yán)瓭q嵌入式UFS價(jià)格，但NAND整體供應(yīng)仍然多于需求，嵌入式NAND價(jià)格博弈空前劇烈。而市場(chǎng)對(duì)LPDDR4X看漲預(yù)期普遍較為樂(lè)觀(guān)，LPDDR5X短期供應(yīng)有限價(jià)格小幅上漲。