眾所周知，目前全球只有ASML一家能夠研發(fā)出EUV光刻機(jī)。
而EUV光刻機(jī)，又是所有芯片制造企業(yè)，進(jìn)入7nm以下工藝的必備設(shè)備，所以說，這也相當(dāng)于ASML卡住了全球所有芯片制造企業(yè)的脖子，只要想進(jìn)入7nm以下，就得找ASML。
但ASML在銷售ASML光刻機(jī)時(shí)，自己說了不算，要聽美國的，而美國不允許ASML賣EUV給中國。
所以，我們只有自研EUV光刻機(jī)，才能制造出7nm以下的芯片。雖然說浸潤式DUV似乎也行，但需要多次曝光，良率太低，成本太高，無法大規(guī)模量產(chǎn)。
所以一直以來，中國也在努力的進(jìn)行突破，希望早日能夠研發(fā)出屬于自己的EUV光刻機(jī)，那么禁令什么的就成廢紙了。
EUV光刻機(jī)，最為核心的主要是三大系統(tǒng)，分別是光源系統(tǒng)，物鏡系統(tǒng)和工作臺(tái)。
其中光源系統(tǒng)是核心，所謂的光源系統(tǒng)，就是怎么樣穩(wěn)定、高效的產(chǎn)生13.5nm的極紫外線。
ASML的作法是將高功率二氧化碳激光脈沖，照射在直徑為30微米的錫滴液靶材上，激發(fā)出高功率的 13.5 nm的等離子體，將其作為光刻機(jī)的光源。
這種辦法最大的缺點(diǎn)是什么呢，那就是轉(zhuǎn)換效率太低，只有3%左右，也就是100W的輸入功率，最后可能只有3W輸出功率，這也是為何EUV光刻機(jī)是耗電大戶的原因。
而近日，中國研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在EUV光線的產(chǎn)生上，有了重大突破。
上海光機(jī)所林楠團(tuán)隊(duì)宣布突破了極紫外EUV光源平臺(tái)，離造出EUV光刻機(jī)又近了一步。
林楠團(tuán)隊(duì)采用的是一種固體激光驅(qū)動(dòng)技術(shù)，用1 μm固體激光激發(fā)Sn等離子體，一樣能夠產(chǎn)生13.5 nm極紫外線。
且這種方法的最大轉(zhuǎn)換效率可能接近6%，遠(yuǎn)高于ASML使用的二氧化碳激光脈，是其2倍左右。
估計(jì)有些人會(huì)覺得這不靠譜，那我就再說一說，林楠可不是普通人，之前他曾任ASML公司研發(fā)科學(xué)家、研發(fā)部光源技術(shù)負(fù)責(zé)人，在2021年時(shí)，林楠作為國家海外高層次人才回國，為國效力。
而在加入ASML之前，他師從2023年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主安妮·呂利耶（Anne L’Huillier），很明顯在這一塊，可以說，他有經(jīng)驗(yàn)，有技術(shù)，有能力的大拿級(jí)別的人物。
目前林楠團(tuán)隊(duì)的研究，發(fā)表在《中國激光》2025年的第6期雜志上。
不過針對(duì)中國在EUV光源上的進(jìn)步，ASML的CEO克里斯托夫·富凱則稱，中國也許能制造出一些EUV光源，但一臺(tái)EUV光刻機(jī)可不只是EUV光源，如果要制造出一臺(tái)EUV光刻機(jī)，中國可能還需要很多很多年的時(shí)間。
不得不說，他說的是事實(shí)，但只要我們對(duì)這些核心系統(tǒng)，一一突破，那么離EUV光刻機(jī)也不遠(yuǎn)了，至少我們是越來越近了。
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