目前主流的存儲(chǔ)芯片，主要分為兩種。
一種是易失性存儲(chǔ)器，就是我們常用的內(nèi)存，比如SRAM和DRAM，讀寫(xiě)速度非?？欤怯幸粋€(gè)缺點(diǎn)，那就是一斷電數(shù)據(jù)就沒(méi)有了。
一種是非易性存儲(chǔ)器，就是我們常用的閃存，比如SSD硬盤(pán)、U盤(pán)、SD卡這些，相對(duì)于內(nèi)存，讀寫(xiě)速度會(huì)慢很多，但有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，那就是斷電后，數(shù)據(jù)還是保存好的，不會(huì)丟失。
那么有沒(méi)有可能，有一種芯片，不但有讀寫(xiě)速度快的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也在斷電后數(shù)據(jù)不丟失呢？
畢竟隨著科技越來(lái)越發(fā)達(dá)，數(shù)據(jù)越來(lái)越大，比如視頻文件，動(dòng)不動(dòng)就幾十個(gè)GB，甚至上百GB，如果還是以前那種速度慢的非易性存儲(chǔ)器，拷貝起來(lái)，需要很長(zhǎng)時(shí)間。
很多時(shí)候，因?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸不夠快，已經(jīng)影響到一些設(shè)備的性能發(fā)揮了，因?yàn)樾酒倏?，算法再厲害，?shù)據(jù)傳輸不過(guò)來(lái)，就都是假的。
而近日，上海復(fù)旦大學(xué)實(shí)驗(yàn)室，就研發(fā)出了一種這種存儲(chǔ)芯片，名為“破曉”（PoX）。
它比米粒還小，但速度非?？?，寫(xiě)入速度低至400皮秒 ——一萬(wàn)億分之一秒，是現(xiàn)有這種類(lèi)型芯片的十萬(wàn)倍提速，同時(shí)它也是一種非易失性存儲(chǔ)器，就是斷電后，數(shù)據(jù)不丟失，可以用于SSD、U盤(pán)、SD卡上的芯片。
那么是怎么做到的呢？其實(shí)是采用了新材料。
以往的這些NAND閃存等，采用的均是硅基材料，但復(fù)旦大學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用的是狄拉克石墨烯，這種材料被認(rèn)為是“材料界超導(dǎo)體”，電子在里面非?；钴S，所以數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)快，寫(xiě)入速度低至400皮秒，和硅基芯片完全就不是一個(gè)級(jí)別的。
另外為了讓速度更快，復(fù)旦的研究團(tuán)隊(duì)，還創(chuàng)造出了一種全新的“二維超注入”效應(yīng)算法，可以讓數(shù)據(jù)更快的寫(xiě)入芯片中。
目前這項(xiàng)研究已經(jīng)被國(guó)際頂刊《自然》收錄了，并且關(guān)鍵的是，這可不是PPT，或者只是理論性的，這樣的芯片也已經(jīng)流片出來(lái)了。
而一旦流片出來(lái)，就意味著離量產(chǎn)上市，也并不太遠(yuǎn)了，一旦這種芯片面市，那么現(xiàn)在的這種NAND閃存芯片，估計(jì)就可以扔掉了，完全不是對(duì)手。
接下來(lái)，就讓我們期待一下，這種全新的存儲(chǔ)芯片上市了，而我們?nèi)绻谶@樣的芯片上搶占先機(jī)，那么估計(jì)就改寫(xiě)整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的格局。
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