前言
上次我們看了PCIe 5.0 旗艦硬盤的表現(xiàn)，今天再來看看土豪Ivy的又一力作。目前如果想要選擇8T的固態(tài)硬盤，除了SATA和U.2，就只有更長的M.2 22110?？紤]到現(xiàn)在家用平臺最多可以塞6-7個M.2，如果只有4T可選的情況下最多28T。但是如果可以上8T，就可以一下子增加到56T，約等于4塊14T機械硬盤。所以大容量M.2硬盤對于土豪NAS玩家來說簡直就是福音。今天我們來看看鎧俠NAND家族代表的西數(shù)8T硬盤性能表現(xiàn)如何。
西部數(shù)據(jù) SN850X 8T 規(guī)格：
規(guī)格：M.2 2280
容量：8TB
標稱順序讀寫：7200/6600 MB/s
標稱隨機讀寫：1200K/1200K IOPS
接口：PCIe 4.0 x4
壽命：4800TBW
協(xié)議：NVMe 2.0
顆粒：鎧俠 BiCS6 162L TLC
SLC緩存：~2200GB
售價：6999
外觀一覽
SN850X的包裝還是那么簡單。紙包裝里面是一個價值快7000的固態(tài)硬盤。
說明書保修卡，以及塑料內(nèi)包裝。
固態(tài)本體一覽，8T的硬盤采用的是雙面設(shè)計，162L的鎧俠顆粒也實現(xiàn)了16Tb的顆粒。感覺用BiCS7說不定能更大。
因為這塊固態(tài)還要考慮保修的問題，所以同樣不拆開貼紙了，主控為Sandisk A101-00292-B2，據(jù)說是自研的Triton MP16+ B2主控。緩存是Micron DDR4 3200 16Gb，作為一個8T硬盤居然只用那么小的緩存，可能是主控不支持的原因。
顆粒為閃迪標簽的鎧俠BiCS 162L TLC 16Tb*4，對比4T及以下的112L BiCS5來說密度更高，雖然BiCS6密度更高，但是對比別人家動輒232L的NAND，還是差了點。
測試
測試項目：
①：ASSSD 2.0.7316.34247 5G
②：CrystalDiskMark 8.0.6 16G
③：TX-bench下空盤狀態(tài)對比85%滿盤
（1、2）95%順序讀?。▽懭耄?5%隨機寫入（讀?。M系統(tǒng)盤下讀寫大型數(shù)據(jù)）
（3、4）50%隨機（順序）讀取/50%隨機（順序）寫入（模擬非系統(tǒng)盤內(nèi)數(shù)據(jù)讀寫）
（5）80%順序?qū)懭?20%順序讀?。M常見大型數(shù)據(jù)讀寫）
（6）60%順序?qū)懭?40%隨機寫入（模擬混合寫入隊列）
*所有混合隊列讀寫任務(wù)使用QD8，模擬日常系統(tǒng)使用的隊列深度，持續(xù)時間為60秒
④：SLC-Cache測試與溫度測試
測試平臺：
CPU： Intel Core i9 14900K
主板：華碩 ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO
內(nèi)存：金百達 黑刃 32GB×2 DDR5 6000 C36
主硬盤：達墨 水瓶座 2T
散熱：鑫谷 昆侖MU-360 ARGB
電源：鑫谷 昆侖 KE-1300P 冰山版
環(huán)境溫度：26℃
系統(tǒng)版本：Windows 11 24H2
測試固態(tài)選擇第一條直連通道，并有一顆12cm風扇進行直吹。
CrystalDiskInfo：
又一塊0寫入的硬盤，想想做一次SLC Cache緩存測試就起碼要寫入8T，對于一塊普通的1T硬盤就是8PE，而它只有一次，我都不敢想它有多饑渴（？
AS SSD Benchmark：
AS-SSD娛樂跑分，這軟件的純在就是為了照顧老硬盤。
CrystalDiskMark：
CDM跑分，可以看到順序讀寫水平已經(jīng)接近標稱值。而隨機讀寫受限于讀寫隊列和線程的數(shù)量問題，依舊沒有完全發(fā)揮出來性能?？梢钥吹絈8T8下，SN850X也只有3000多MB/s的速度，同樣是一顆需要深隊列才能發(fā)揮全部性能的SSD。不過3300MB/s的速度也并不低了。
TX bench：
圖表閱讀方法：同時測試讀寫時，左邊縱坐標為讀取單位，右邊縱坐標為寫入單位。橫坐標為時間，從左到右從上到下閱讀。
首先我們來看看左一排的95%順序讀取/5%隨機寫入，模擬的是系統(tǒng)盤進行大規(guī)模讀取時系統(tǒng)所能留有的冗余運作空間。SN850X 8T的表現(xiàn)還好，寫入有2.7MB/s的隨機寫入空間。表格中唯一一個同樣尺寸的達墨Virgo 8T只有0.68MB/s。
中一排為95%順序?qū)懭?5%隨機讀取，模擬的是系統(tǒng)盤進行大規(guī)模寫入時系統(tǒng)所能留有的冗余運作空間。SN850X 8T的SLC緩存也是全盤寫入，6G的寫入速度需要接近5分51秒才能寫完2200GB，寫完后速度下跌至900MB/s，不過有趣的是測試的中后段速度恢復了一部分，這也許是因為SLC轉(zhuǎn)TLC的任務(wù)完成了。
右一排與左二排分別為順序與隨機的50%讀取/50%寫入，模擬的是非系統(tǒng)盤內(nèi)進行的讀寫操作。SN850X 8T可以實現(xiàn)盤內(nèi)3200MB/s的順序讀寫和240MB/s的隨機讀寫。85%滿盤后順序讀寫的損失不算很大，還有2000MB/s，隨機讀寫倒下降的很厲害，只剩50MB/s。
中二排為80%順序?qū)懭?20%順序讀取，模擬的是常見大型數(shù)據(jù)的讀寫操作。SN850X 8T的主控在處理復雜運算上得心應(yīng)手，雖然滿盤后有所下跌，但是都還是千M級別。
右二排為60%順序?qū)懭?40%隨機寫入，模擬的是不常見的大規(guī)?；旌蠈懭耄热缫恍┫螺d，緩存隊列等。SN850X 8T延續(xù)之前的性能表現(xiàn)，表現(xiàn)還可以。
SLC-Cache與溫度
SLC-Cache直接使用Tx-Bench RAW模式進行讀寫?？梢钥吹絊N850X 8T的緩后性能比較波動。大約351秒之后從~6700MB/s跌倒~1200MB/s。然后憑借主控超強的能力，恢復一定SLC空間，上升到2800MB/s，然后又用掉，又恢復，不斷循環(huán)。寫完這塊硬盤用了整整49分鐘！
測試后記錄得最高溫度為65度，因為雙面的緣故，傳統(tǒng)的單面散熱會很吃虧，所以一定要找些能雙面散熱的主板用。
總結(jié)
SN850X 8T最終排名為15，落后于自家的SN850X 2T，其實認真看看，性能差距也不是很大，因為手上沒什么8T硬盤，所以成功刷上了8T硬盤榜首。
個人看法，目前的8T硬盤因為顆粒數(shù)量的緣故，只能選擇雙面，在如今追求輕薄的時代里蠻吃虧的。特別是因為顆粒隆起導致PCB彎折，說不定時間久了顆粒就脫焊了。我還是一樣期待一些無緩的方案。同樣，價格也得打下來，有些無緩2T 2230 SSD都已經(jīng)有單顆16Tb了，那單面堆4顆16Tb顆粒的無緩單面8T SSD還會遠嗎？
附錄
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