近日，美光科技（Micron）向客戶發(fā)出漲價(jià)函，宣布全面上調(diào)DRAM與NAND Flash產(chǎn)品報(bào)價(jià)，并預(yù)計(jì)2025年和2026年市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。這家美國(guó)存儲(chǔ)巨頭不僅調(diào)整代理現(xiàn)貨價(jià)格，還對(duì)尚未完成價(jià)格議定的合約訂單執(zhí)行漲價(jià)策略。此外，美光強(qiáng)調(diào)，若客戶需求超出預(yù)測(cè)量或分配量，公司可能進(jìn)一步上調(diào)價(jià)格或收取急單加價(jià)。
值得注意的是，美光并未在漲價(jià)函中明確具體漲幅，但供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)，此次漲價(jià)將在第二季度全面落地。
美光漲價(jià)邏輯：AI需求旺盛+長(zhǎng)期投資回報(bào)
美光在漲價(jià)函中表示，當(dāng)前AI相關(guān)應(yīng)用需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)，進(jìn)一步推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)其存儲(chǔ)產(chǎn)品的興趣。公司強(qiáng)調(diào)，定價(jià)策略基于以下關(guān)鍵因素：
產(chǎn)品價(jià)值：美光的存儲(chǔ)產(chǎn)品為AI及其他高端應(yīng)用提供了核心功能。
長(zhǎng)期研發(fā)投入：公司持續(xù)投資，以確保其產(chǎn)品組合在行業(yè)內(nèi)保持領(lǐng)先地位。
供應(yīng)鏈穩(wěn)定：美光鼓勵(lì)客戶提供長(zhǎng)期需求預(yù)測(cè)，以確保穩(wěn)定供應(yīng)并減少市場(chǎng)波動(dòng)帶來(lái)的不確定性。
存儲(chǔ)器市場(chǎng)全面漲價(jià)，韓系廠商或?qū)⒏M(jìn)
近期，存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格普遍上調(diào)：
閃迪（SanDisk）：4月1日起全渠道產(chǎn)品漲幅超過(guò)10%。
美光：NAND Flash產(chǎn)品漲幅超過(guò)10%。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）旗下致態(tài)（ZhiTai）：4月起渠道提貨價(jià)漲超10%。
美光此次發(fā)函通知代理商漲價(jià)，市場(chǎng)預(yù)期三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）也將迅速跟進(jìn)，預(yù)計(jì)從4月起上調(diào)NAND Flash報(bào)價(jià)。
市場(chǎng)展望：二季度漲勢(shì)初顯，三四季度或?qū)⒓铀?/p>
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)**TrendForce（集邦咨詢）**預(yù)測(cè)，NAND Flash供需結(jié)構(gòu)將顯著改善：
二季度：NAND Flash價(jià)格或持平或小幅下跌5%。
三季度：價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比上漲10%-15%。
四季度：漲幅可能繼續(xù)擴(kuò)大至8%-13%。
在DRAM市場(chǎng)方面，Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格預(yù)計(jì)跌幅收窄至0%-5%。隨著HBM3e 12hi逐步放量，高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品有望推動(dòng)整體均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)3%-8%。
綜合來(lái)看，存儲(chǔ)市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪漲勢(shì)，AI應(yīng)用需求增長(zhǎng)、供應(yīng)鏈調(diào)整及廠商策略都將成為影響價(jià)格走勢(shì)的關(guān)鍵因素。
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