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來(lái)源：內(nèi)容 編譯自 eetjp ，謝謝。
富士經(jīng)濟(jì)于2025年4月3日對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查，并宣布到2035年將達(dá)到7.771萬(wàn)億日元，市場(chǎng)規(guī)模將是2024年的2.3倍。雖然2024年會(huì)因電動(dòng)汽車(chē)（EV）需求放緩而出現(xiàn)庫(kù)存積壓，但該公司預(yù)測(cè)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，由于電動(dòng)汽車(chē)的普及等因素，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)。
本次調(diào)查涵蓋肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）、MOSFET、智能功率模塊等17個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目；硅/氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）晶片、光刻膠、封裝材料等20個(gè)組件；以及曝光設(shè)備、濺射設(shè)備、IC測(cè)試儀等20臺(tái)制造設(shè)備。調(diào)查期為2024年10月至2025年2月。
由于電動(dòng)汽車(chē)需求放緩、工廠(chǎng)自動(dòng)化投資下降以及中國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退等因素，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在 2024 年受到庫(kù)存積壓的打擊。需求預(yù)計(jì)將從2024年下半年開(kāi)始復(fù)蘇，庫(kù)存預(yù)計(jì)將在2025年下半年恢復(fù)正常。
預(yù)計(jì)2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3.5285萬(wàn)億日元，其中硅功率半導(dǎo)體規(guī)模為3.147萬(wàn)億日元。由于庫(kù)存調(diào)整，增幅會(huì)很小，但隨著庫(kù)存恢復(fù)正常，市場(chǎng)將從 2026 年開(kāi)始擴(kuò)大。預(yù)計(jì)到2035年將達(dá)到4.5729萬(wàn)億日元。
下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2025年達(dá)到5138億日元。與增長(zhǎng)率較小的SiC功率半導(dǎo)體相比，GaN功率半導(dǎo)體由于替代了硅半導(dǎo)體而實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)。未來(lái)對(duì)這些下一代功率半導(dǎo)體的需求將持續(xù)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)可處理更高電壓和電流的氧化鎵功率半導(dǎo)體將在2026年左右投入實(shí)際使用，從而推動(dòng)市場(chǎng)擴(kuò)張。預(yù)計(jì)2035年下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3.1981萬(wàn)億日元。
在本研究報(bào)告中，將“SiC功率半導(dǎo)體”、“GaN功率半導(dǎo)體”和“氧化鎵功率半導(dǎo)體”列為下一代功率半導(dǎo)體中特別受關(guān)注的產(chǎn)品。
預(yù)計(jì)2035年SiC功率半導(dǎo)體（SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模塊）的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2.9034萬(wàn)億日元，而2025年則為4558億日元。預(yù)計(jì)2035年電動(dòng)汽車(chē)中SiC功率半導(dǎo)體的采用率將超過(guò)50%，而2024年僅為10%多一點(diǎn)。我們預(yù)計(jì)，該技術(shù)也將在汽車(chē)和電氣設(shè)備領(lǐng)域以外的領(lǐng)域得到廣泛采用，例如太陽(yáng)能發(fā)電的電源調(diào)節(jié)器。
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)2035年將達(dá)到2787億日元，而2025年預(yù)計(jì)為580億日元。受量產(chǎn)效應(yīng)影響，價(jià)格下降，2024年將越來(lái)越多地搭載于AC-DC適配器中。服務(wù)器電源對(duì)硅的替代也取得了進(jìn)展。展望未來(lái)，我們預(yù)計(jì)該技術(shù)在車(chē)載充電器、激光雷達(dá)、太陽(yáng)能調(diào)節(jié)器和其他應(yīng)用中的應(yīng)用將會(huì)增加。
氧化鎵功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模目前較小，但預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)到149億日元。其特殊之處在于，與SiC和GaN功率半導(dǎo)體相比，可以處理更高的電壓和電流。預(yù)計(jì)用于消費(fèi)設(shè)備和服務(wù)器電源的 SBD 將于 2026 年左右開(kāi)始全面生產(chǎn)。預(yù)計(jì)用于高壓應(yīng)用的 FET 將于 2030 年左右開(kāi)始生產(chǎn)。
2024年SiC晶圓將超越硅晶圓市場(chǎng)
功率半導(dǎo)體零部件方面，按照“晶圓”“前段加工材料”“后段加工材料”分類(lèi)公布了市場(chǎng)規(guī)模。預(yù)計(jì) 2023 年綜合市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 1.7408 萬(wàn)億日元，而 2025 年預(yù)計(jì)為 6152 億日元。
預(yù)計(jì)2025年功率半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3009億日元，而2035年將達(dá)到9118億日元。到目前為止，硅晶圓一直是關(guān)注的焦點(diǎn)。不過(guò)，得益于中國(guó)企業(yè)增加產(chǎn)量，SiC晶圓市場(chǎng)將在2024年超越硅晶圓市場(chǎng)。GaN晶圓也呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
此外，前端處理材料預(yù)計(jì)到2035年將達(dá)到305億日元，而2025年預(yù)計(jì)為204億日元。至于后處理材料，預(yù)計(jì)到2035年將擴(kuò)大到7985億日元，而2025年預(yù)計(jì)為2939億日元。
8英寸SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)投資預(yù)期
功率半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)2035年將達(dá)到1.3234萬(wàn)億日元，而2025年預(yù)計(jì)為7393億日元。由于2024年下半年起汽車(chē)相關(guān)資本投資減少，預(yù)計(jì)2025年的市場(chǎng)規(guī)模將比上一年減少5%。不過(guò)，中國(guó)市場(chǎng)仍在繼續(xù)增長(zhǎng)，部分原因是功率半導(dǎo)體制造商正在建設(shè)新工廠(chǎng)。未來(lái)還計(jì)劃投資SiC功率半導(dǎo)體的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，預(yù)計(jì)2027年起市場(chǎng)將再次擴(kuò)大。我們也期待對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)進(jìn)行投資。
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2504/07/news056_2.html
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