2025年3月，上海SEMICON China展會上，深圳新凱來成為全場焦點。這家成立僅3年的“國家隊”企業(yè)，首次參展便推出6大類31款半導(dǎo)體設(shè)備，覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、量檢測等核心環(huán)節(jié)，技術(shù)參數(shù)直指國際領(lǐng)先水平。
半導(dǎo)體設(shè)備是芯片制造的“根基”，但長期被荷蘭阿斯麥、美國應(yīng)用材料、東京電子等國際巨頭壟斷。例如，全球PVD設(shè)備市場85%由美國應(yīng)用材料占據(jù)，ALD設(shè)備60%以上份額歸ASM和東京電子所有。中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率已突破 30%，新凱來的突圍是一個新的重要里程碑。
據(jù)SEMI預(yù)測，2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將突破1100億美元，其中中國占比超30%。新凱來的設(shè)備已進入中芯國際、長鑫存儲等頭部企業(yè)量產(chǎn)線，預(yù)計2025年營收增速將達150%，并具備了打開國際市場的實力。
此次新凱來推出的設(shè)備均以中國名山命名，頗具氣勢。如“普陀山”系列PVD設(shè)備采用磁控濺射技術(shù)，支持14nm及以上制程，已通過中芯國際驗證。雖然尚未直接對標阿斯麥的EUV光刻機，但在成熟制程領(lǐng)域已實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
還有刻蝕設(shè)備“武夷山”系列涵蓋電容耦合和電感耦合等離子體刻蝕，可實現(xiàn)5nm級線條控制，尤其在硅鍺材料刻蝕領(lǐng)域突破國際技術(shù)封鎖。其中武夷山3號設(shè)備的刻蝕速率達1000nm/min，比國際同類產(chǎn)品提升20%。
薄膜沉積設(shè)備“阿里山”（嗯看到這寶島阿里山就倍感親切）系列可實現(xiàn)單原子層厚度控制，支持5nm以下先進制程。其五邊形平臺設(shè)計使薄膜均勻性提升至99.5%，打破ASM和東京電子的壟斷。
其他還有長白山、岳麓山、沂蒙山、峨眉山等太多設(shè)備這里不一一詳述。新凱來的設(shè)備核心零部件國產(chǎn)化率達100%，例如自研的射頻電源響應(yīng)速度提升至1ms，比國際同類產(chǎn)品快10倍。其專利覆蓋等離子體控制、熱流場優(yōu)化等領(lǐng)域，累計獲得80余項發(fā)明專利。
當(dāng)然新凱來的突破，從本屆展會看主要還是在成熟制程領(lǐng)域，在EUV光刻、電子束檢測等尖端技術(shù)上仍落后于國際巨頭。如其ALD設(shè)備的產(chǎn)能為每小時100片，僅為ASM的60%，我們是先實現(xiàn)從無到有的突破，而非一步到位。憑借我國半導(dǎo)體行業(yè)的爆發(fā)式增速，未來趕超值得期待。
半導(dǎo)體設(shè)備需要與材料、工藝深度協(xié)同。新凱來已與上海新陽、安集科技等大批材料企業(yè)合作，開發(fā)適配國產(chǎn)設(shè)備的光刻膠和研磨液，預(yù)計2026年實現(xiàn)全鏈條國產(chǎn)化。
新凱來已來，當(dāng)然阿斯麥、美國應(yīng)用材料等企業(yè)也在加速技術(shù)迭代，例如美國應(yīng)用材料的PVD設(shè)備已實現(xiàn)“設(shè)備-工藝-材料”一體化解決方案。新凱來以及更多咱們自己的裝備企業(yè)還需持續(xù)發(fā)力，繼續(xù)拿下一個個山頭，直到最后一個EUV光刻機。
未來，隨著AI、智能駕駛等需求爆發(fā)，半導(dǎo)體設(shè)備市場將迎來萬億級藍海。我們相信新凱來必能在這場“全球競賽”中持續(xù)保持優(yōu)勢，當(dāng)然負責(zé)先進光刻機的上海微電子等其他企業(yè)也要加速了，畢竟百花齊放才是咱們的目標。
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