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1、聯(lián)蕓科技Q1研發(fā)流片費(fèi)用投入增加致凈利潤轉(zhuǎn)負(fù)
2、損失超60億！美AI芯片禁令重創(chuàng)英偉達(dá)、AMD、英特爾
3、三星4nm邏輯芯片測試生產(chǎn)良率已超40%
4、JEDEC推出JESD270-4 HBM4標(biāo)準(zhǔn)
5、SEMI：2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)1171億美元，創(chuàng)歷史新高
1、聯(lián)蕓科技Q1研發(fā)流片費(fèi)用投入增加致凈利潤轉(zhuǎn)負(fù)
聯(lián)蕓科技公告，2024年?duì)I業(yè)收入為11.74億元，同比增長13.55%。歸屬于上市公司股東的凈利潤為9.2億元，同比增長25.42%。公司2024年度擬不派發(fā)現(xiàn)金紅利，不以資本公積轉(zhuǎn)增股本，不送紅股。
聯(lián)蕓科技2025年Q1營業(yè)收入為2.41億元，同比增長11.19%；凈利潤由去年同期的盈利1022萬元轉(zhuǎn)為虧損2479萬元，同比下降342.60%；扣非凈利潤虧損3394萬元，同比下降614.02%。
報告明確指出"本期研發(fā)流片費(fèi)用投入增加較多使本期凈利潤為負(fù)"，一季度研發(fā)投入較去年同期增長54.81%，研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例增加到60.36%。此季報顯示聯(lián)蕓科技處于大力研發(fā)投入階段，雖然導(dǎo)致短期盈利承壓，但營收仍保持增長，同時高額研發(fā)投入可能是公司為未來產(chǎn)品和市場競爭力做準(zhǔn)備。
聯(lián)蕓科技在報告中也披露了，報告期內(nèi)，公司新一代 PCIe 5.0 主控芯片已進(jìn)入客戶驗(yàn)證的關(guān)鍵階段，該產(chǎn)品憑借卓越的性能表現(xiàn)，已獲得多家知名存儲廠商的認(rèn)可并達(dá)成合作意向，預(yù)計(jì) 2025 年相關(guān)系列 SSD 主控芯片將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，屆時將成為公司新的業(yè)績增長點(diǎn)。公司 UFS 3.1 主控芯片已實(shí)現(xiàn)客戶導(dǎo)入開發(fā)關(guān)鍵階段，各項(xiàng)研發(fā)工作進(jìn)展順利，屆時將成為公司新的業(yè)務(wù)增長點(diǎn)。
CFM閃存市場近期對話聯(lián)蕓科技，揭秘高昂研發(fā)投入的背后聯(lián)蕓科技如何構(gòu)建起獨(dú)特的技術(shù)護(hù)城河，AI浪潮下激發(fā)出的端側(cè)應(yīng)用潛力又該如何把握？
2、損失超60億！美AI芯片禁令重創(chuàng)英偉達(dá)、AMD、英特爾
隨著美國擴(kuò)大針對中國的人工智能半導(dǎo)體出口管制，英偉達(dá)、AMD、英特爾等主要半導(dǎo)體公司紛紛受到?jīng)_擊。
英偉達(dá)當(dāng)?shù)貢r間15日發(fā)布8-K文件稱，公司日前收到美國政府通知，H20芯片和達(dá)到H20內(nèi)存帶寬、互連帶寬等的芯片向中國等國家和地區(qū)出口需要獲得許可證，該許可制度將無限期生效。英偉達(dá)表示，由于與業(yè)務(wù)合作伙伴取消銷售合同等原因，預(yù)計(jì)2025年2-4月財報中將出現(xiàn)高達(dá)55億美元的虧損。
同樣受出口管制影響的還有AMD，據(jù)AMD最新透露，這些新規(guī)將影響其MI308產(chǎn)品線，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致最高約8億美元的費(fèi)用。AMD預(yù)計(jì)將申請?jiān)S可證，但無法保證一定會獲得許可證。這項(xiàng)監(jiān)管舉措對 AMD 來說代價高昂，因?yàn)橹袊?2024 年成為 AMD 的第二大市場，其收入約為 62.3 億美元，占公司總銷售額的 24% 以上。
英特爾上周通知部分中國客戶，其Gaudi系列人工智能芯片受到出口管制標(biāo)準(zhǔn)約束。據(jù)報道稱，DRAM 總帶寬超過 1,400 GB/秒、輸入/輸出 (I/O) 帶寬超過 1,100 GB/秒，或兩者合計(jì)超過 1,700 GB/秒的半導(dǎo)體均需要獲得許可證才能出口到中國。
3、三星4nm邏輯芯片測試生產(chǎn)良率已超40%
據(jù)韓媒引述消息人士報道，三星4nm邏輯芯片的測試生產(chǎn)良率已超過40%。為了提升邏輯芯片的性能，三星代工業(yè)務(wù)引入了多項(xiàng)新工藝。
由于該邏輯芯片是三星12層HBM4的關(guān)鍵組件，良率的提升預(yù)計(jì)將加速三星HBM4的開發(fā)。與依賴臺積電生產(chǎn)邏輯芯片的競爭對手不同，三星利用自身先進(jìn)的晶圓代工技術(shù)，靈活地為全球科技巨頭定制芯片，滿足日益增長的定制化HBM解決方案需求。
三星HBM4項(xiàng)目的成功最終取決于其存儲部門能否量產(chǎn)其第六代10納米級（1c）DRAM芯片。此外，封裝技術(shù)也至關(guān)重要。三星采用的是先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC-NCF）技術(shù)，在每個芯片之間放置一層薄膜。但業(yè)內(nèi)人士表示，這種方法在熱管理方面帶來了挑戰(zhàn)。
4、JEDEC推出JESD270-4 HBM4標(biāo)準(zhǔn)
美國弗吉尼亞州當(dāng)?shù)貢r間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布發(fā)布HBM4標(biāo)準(zhǔn)JESD270-4，HBM4 相對于先前的標(biāo)準(zhǔn)版本進(jìn)行了多項(xiàng)改進(jìn)，包括：
增加帶寬：通過 2048-bit接口的傳輸速度高達(dá) 8 Gb/s，HBM4 將總帶寬提升至 2 TB/s。
容量：HBM4 支持 4 /8/12/16 層 DRAM 堆疊，采用 24 Gb 或 32 Gb 的晶圓密度，可提供堆疊容量高達(dá)64GB（32Gb DRAM+16層堆疊）。
獨(dú)立通道翻倍：HBM4 將每堆棧的獨(dú)立通道數(shù)量從 16 通道（HBM3）增加到 32 通道，且每個通道有 2 個偽通道。
功耗效率：支持供應(yīng)商特定的 VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V 或 0.9V）和 VDDC（1.0V 或 1.05V）。
兼容性和靈活性：HBM4 接口定義確保與現(xiàn)有 HBM3 控制器的向后兼容性，允許在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)無縫集成和靈活性，并在需要時允許單個控制器同時與 HBM3 和 HBM4 一起運(yùn)作。
定向刷新管理（DRFM）：HBM4通過引入定向刷新管理（DRFM）技術(shù)，有效增強(qiáng)了row-hammer緩解能力及可靠性、可用性與可維護(hù)性（RAS）指標(biāo)。
5、SEMI：2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)1171億美元，創(chuàng)歷史新高
SEMI公布2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售總額，由2023 年的1063 億美元增長至1171 億美元，創(chuàng)歷史新高，同比增長10%；中國大陸地區(qū)續(xù)坐穩(wěn)龍頭寶座。
具體來看，2024 年全球半導(dǎo)體前段制程設(shè)備市場呈現(xiàn)顯著成長，其中晶圓制程設(shè)備銷售額帶頭攀升9%，其他前段設(shè)備類別也有5%增幅，此成長主要受惠于擴(kuò)充先進(jìn)制程及成熟制程邏輯芯片、先進(jìn)封裝以及高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能投資的挹注，同時中國大陸地區(qū)的加碼投資也貢獻(xiàn)了較大驅(qū)動力。
在歷經(jīng)連兩年下滑后，后段制程設(shè)備2024 年迎來強(qiáng)勁復(fù)蘇，主要受到AI與高頻HBM制造日益增加的復(fù)雜性與需求所驅(qū)動。組裝和封裝設(shè)備銷售額成長25%，同時測試設(shè)備銷售額增長20%，反映出產(chǎn)業(yè)致力于支援先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展。
從地區(qū)來看，中國大陸地區(qū)、韓國和中國臺灣地區(qū)仍是半導(dǎo)體設(shè)備支出前三大市場，合計(jì)占全球市場達(dá)74%。中國大陸地區(qū)2024年總投資額達(dá)496億美元，同比增長35%，穩(wěn)居半導(dǎo)體設(shè)備市場領(lǐng)先地位；第二大市場韓國的設(shè)備支出則因存儲市場趨于穩(wěn)定以及HBM需求飆升，小幅成長3%，達(dá)205億美元；受新產(chǎn)能需求放緩影響，中國臺灣地區(qū)設(shè)備銷售額下滑16%至166 億美元。
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