芯東西4月22日消息，昨日，英特爾18A制程的更多技術(shù)細(xì)節(jié)被曝光，在性能、功耗、面積對(duì)比下，Intel 18A在標(biāo)準(zhǔn)Arm核心架構(gòu)的芯片上，較前代Intel 3，1.1V標(biāo)準(zhǔn)電壓下可以實(shí)現(xiàn)25%的速度提升，功耗降低36%。即便在0.75V低壓場(chǎng)景下，仍能實(shí)現(xiàn)18%的性能躍升，同時(shí)功耗降低38%。
其性能值（Performance Metric）達(dá)到2.53，超越臺(tái)積電N2制程的2.27。
其在性能（Performance）、功耗（Power）、面積（Area）三大核心指標(biāo)上的其他完整細(xì)節(jié)將在2025年6月8日至12日在日本京都公布。
一、Intel 18A制程對(duì)比Intel 3：性能提25%、功耗降36%、晶體管密度增28%
據(jù)英特爾技術(shù)白皮書(shū)透露，相較上一代Intel 3制程（約3nm），18A制程在相同電壓（1.1V）和電路復(fù)雜度下，可實(shí)現(xiàn)25%的性能提升；針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)Arm核心子模塊，18A制程在同頻率同電壓條件下功耗降低36%。同時(shí)，18A制程在低電壓（0.75V）場(chǎng)景下性能提升18%且功耗進(jìn)一步降低38%。
▲英特爾18A與英特爾3 PPA（功率、性能、面積）比較英特爾18A與Intel 3高密度庫(kù)、高性能庫(kù)
此外，18A制程的晶體管密度較Intel 3提升28%，單位面積可集成更多晶體管，為芯片小型化與功能集成提供支撐。
二、集成兩項(xiàng)革命性技術(shù)，下半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
據(jù)Electropages報(bào)道，18A制程將首次集成兩項(xiàng)革命性技術(shù)：第一項(xiàng)是18A制程全環(huán)繞柵極RibbonFET晶體管，18A制程代替?zhèn)鹘y(tǒng)FinFET結(jié)構(gòu)，通過(guò)納米片堆疊實(shí)現(xiàn)對(duì)溝道電流的更精準(zhǔn)控制，有效降低漏電流并提升開(kāi)關(guān)速度，為1.8nm級(jí)線寬提供物理基礎(chǔ)。
第二項(xiàng)是PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)，將電源傳輸線路從芯片正面轉(zhuǎn)移至背面，減少電源線對(duì)晶體管區(qū)域的占用，使芯片正面可部署更多邏輯單元，同時(shí)降低電源損耗，實(shí)現(xiàn)15%的供電效率提升。
18A制程于2025年4月進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，計(jì)劃下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
三、首發(fā)落地消費(fèi)級(jí)處理器，后續(xù)擴(kuò)展至數(shù)據(jù)中心
Intel透露，18A制程將首先應(yīng)用于2025年底投產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)處理器（如第15代酷睿），隨后擴(kuò)展至數(shù)據(jù)中心級(jí)至強(qiáng)芯片及神經(jīng)形態(tài)計(jì)算芯片。該制程支持多種先進(jìn)封裝技術(shù)，包括Foveros 3D堆疊與EMIB嵌入式多芯片互連，可滿(mǎn)足AI芯片對(duì)高帶寬、低延遲的需求。
當(dāng)前臺(tái)積電3DFabric（N2）與三星GAA（2nm）制程均處于試產(chǎn)階段，Intel 18A憑借明確的PPA參數(shù)與量產(chǎn)時(shí)間表，有望重新?tīng)?zhēng)奪高端代工市場(chǎng)份額。據(jù)分析機(jī)構(gòu)Gartner報(bào)道，英特爾18A制程的功耗優(yōu)化特性尤其適用于移動(dòng)終端與邊緣計(jì)算設(shè)備，同時(shí)其性能提升將增強(qiáng)該公司在AI推理芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
結(jié)語(yǔ)：性能功耗面積三重突破加持，革命性18A制程將首秀
英特爾基于其在性能、功耗、面積上的自主突破，首次集成18A制程項(xiàng)革命性技術(shù)，使得英特爾能滿(mǎn)足AI芯片的需求。這一定程度上標(biāo)志著英特爾在芯片制造等核心技術(shù)上有更佳成效，有望重新?tīng)?zhēng)奪高端代工市場(chǎng)份額。
長(zhǎng)期來(lái)看，隨著18A芯片不斷明確參數(shù)并擴(kuò)大量產(chǎn)，英特爾可能會(huì)依靠RibbonFET和背面供電技術(shù)實(shí)現(xiàn)制程反超。
來(lái)源：TrendForce、Economic Daily News
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